ZHCSWV6C August   2024  – March 2025 TMAG5233

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 磁特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 SOT-23 磁通密度方向
      2. 7.3.2 输出类型
      3. 7.3.3 时序
      4. 7.3.4 霍尔元件位置
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.2 输出类型

TMAG5233 是全极开关，这意味着 OUT 引脚对正负磁通密度都会做出响应。作为低电平有效推挽式 (CMOS) 输出器件，TMAG5233 在磁通密度超过磁性工作点 (BOP) 时将输出拉至低电平。输出会保持低电平，直至磁通密度下降到磁性释放点 (BRP) 以下为止。图 7-6 展示了该全极低电平有效输出行为。图 7-7 展示了推挽式 CMOS 架构的简化图，该架构允许器件将输出驱动至高电平或将输出拉至低电平，因此无需使用外部上拉电阻。

TMAG5233 全极输出响应图 7-6 全极输出响应
TMAG5233 推挽式 (CMOS) 输出（简化版）图 7-7 推挽式 (CMOS) 输出（简化版）