ZHCSWV6C August   2024  – March 2025 TMAG5233

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 磁特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 SOT-23 磁通密度方向
      2. 7.3.2 输出类型
      3. 7.3.3 时序
      4. 7.3.4 霍尔元件位置
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

8.2.2 详细设计过程

当磁体从起始位置（X 轴上的 –5mm）移动到最终位置（X 轴上的 5mm）时，TMAG5233 在灵敏度轴上检测到的磁通密度会发生变化（请参阅图 8-4）。图 8-5 展示了同一间隔内的 TMAG5233 输出。

在磁体起始位置，TMAG5233 输出较高，因为磁通密度小于 BOP。当磁体沿 X 轴向传感器移动时，磁通密度在位移为 –3.1mm 时超过 TMAG5233 的 BOP 阈值，从而使输出变为低电平。当磁体继续沿 X 轴移动并越过原点时，磁通密度开始下降。当位移为 3.4mm 时，会超过 BRP 阈值，并且输出变为高电平。