ZHCSWC4C May   2024  – February 2025 DRV8161 , DRV8162

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 1pkg 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序图
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 7.3.1.1.1 2 引脚 PWM 模式
          2. 7.3.1.1.2 1 引脚 PWM 模式
          3. 7.3.1.1.3 独立 PWM 模式
        2. 7.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 7.3.1.2.1 涓流电荷泵 (TCP)
          2. 7.3.1.2.2 死区时间和跨导保护（击穿保护）
      2. 7.3.2 引脚图
        1. 7.3.2.1 四电平输入引脚 (CSAGAIN)
        2. 7.3.2.2 数字输出 nFAULT（DRV8162、DRV8162L）
        3. 7.3.2.3 数字输入输出 nFAULT/nDRVOFF (DRV8161)
        4. 7.3.2.4 多电平输入（IDRIVE1 和 IDRIVE2）
        5. 7.3.2.5 多电平数字输入 (VDSLVL)
        6. 7.3.2.6 多电平数字输入 DT/MODE
      3. 7.3.3 低侧电流检测放大器
        1. 7.3.3.1 双向电流检测操作
      4. 7.3.4 栅极驱动器关断序列 (nDRVOFF)
        1. 7.3.4.1 nDRVOFF 诊断
      5. 7.3.5 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.5.1 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        2. 7.3.5.2 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        3. 7.3.5.3 热关断 (OTSD)
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 DRV8161 的典型应用
      2. 8.2.2 DRV8162 和 DRV8162L 的典型应用
      3. 8.2.3 外部组件
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 确定大容量电容器的大小
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
    8. 9.8 社区资源
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.1 栅极驱动器

DRV816x 系列器件集成了高侧和低侧 FET 栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动 N 沟道功率 MOSFET。自举栅极驱动架构会在 PWM 开关期间生成高侧栅极驱动器电压。GVDD 引脚可同时为高侧和低侧栅极驱动器供电，并为 FET 设置 VGS 电压。

DRV816x 器件支持半桥功率级架构。除了常规的 2 引脚 PWM、1 引脚 PWM 控制接口外，该器件还通过禁用击穿保护并允许单独控制高侧和低侧 FET 来提供独立的 PWM 模式。在驱动电磁阀和开关磁阻电机时，独立 FET 控制非常有用。DRV8162 和 DRV8162L 具有单独的电源引脚（GVDD 和 GVDD_LS），可用于高侧和低侧 FET 栅极驱动器。通过向栅极驱动电源引脚添加外部电源开关，系统可支持安全转矩关闭 (STO) 功能。