ZHCSVY1D September   2010  – May 2025 TPS736-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 内部电流限制
      2. 6.3.2 瞬态响应
      3. 6.3.3 反向电流
      4. 6.3.4 热保护
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 使能引脚和关断
      2. 6.4.2 压降电压
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 针对固定电压版本的典型应用电路
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1 输入和输出电容器要求
          2. 7.2.1.2.2 输出噪声
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 可调电压版本的典型应用电路
        1. 7.2.2.1 设计要求
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 散热注意事项
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 器件命名规则
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

3 说明

TPS736-Q1 低压降 (LDO) 线性稳压器采用 NMOS 拓扑结构，该拓扑结构在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。这个拓扑结构在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定，甚至可实现无电容器运行。此拓扑结构还提供高反向阻断（低反向电流）和接地引脚电流，该电流在所有输出电流上几乎保持恒定。

TPS736-Q1 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。未启用时，电流消耗低于 1μA，非常适合于便携式应用。极低的输出噪声（0.1μF CNR 时为 30μVRMS）使得此器件非常适合为 VCO 供电。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。

封装信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸(2)
TPS736-Q1 DBV（SOT-23，5） 2.9mm × 2.8mm
DCQ（SOT-223，6） 6.5mm × 7.06mm
(1) 如需更多信息，请参阅机械、封装和可订购信息。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
TPS736-Q1 典型应用典型应用