ZHCSVH2H May   2005  – July 2025 TPS732-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 开关特性
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 内部电流限制
      2. 6.3.2 关断
      3. 6.3.3 压降电压
      4. 6.3.4 瞬态响应
      5. 6.3.5 反向电流
      6. 6.3.6 热保护
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入和输出电容器要求
        2. 7.2.2.2 输出噪声
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 功率耗散
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.2.2.2 输出噪声

一个精准带隙基准用于生成内部基准电压 VREF。这个基准是 TPS732-Q1 系列器件内的主要噪声源并且在基准输出 (NR) 上产生大约 32μVRMS（10Hz 至 100kHz）。稳压器控制环路对基准噪声的增益补偿与对基准电压的增益补偿一致，这样稳压器的噪声电压可大约确定为：

方程式 3. V N = 32 μ V R M S × R 1 + R 2 R 2 = 32 μ V R M S × V O U T V R E F

由于 VREF 的值为 1.2V，这个相互关系减少至：

方程式 4. V N μ V R M S = 27 μ V R M S V × V O U T V

其中

  • CNR 不存在

当一个外部降噪电容器 CNR 被从 NR 接至接地时，一个与降噪引脚 (NR) 串联的内部 27kΩ 电阻器为电压基准形成一个低导通滤波器。因为 CNR = 10nF，根据给出的大致关系，10Hz 至 100kHz 带宽内的总噪声被减少了大约 3.2 倍：

方程式 5. V N μ V R M S = 8.5 μ V R M S V × V O U T V

其中

  • CNR = 10nF

这个降噪效应显示在典型特性 的RMS 噪声电压与 CNR 间的关系 图中。

TPS73201-Q1 可调节版本没有提供降噪引脚。不过，将一个反馈电容器 CFB 从输出连接至 FB 引脚将降低输出噪声并提升负载瞬态性能。

TPS732-Q1 系列器件使用一个内部电荷泵来形成一个内部电源电压，此电压足以将 NMOS 导通元件的栅极驱动至高于 VOUT 的水平。此电荷泵在大约 2MHz 时生成大约 250μV 的开关噪声；然而，对于大多数 IOUT 和 COUT 的值，电荷泵噪声对于稳压器输出的影响可以忽略不计。