ZHCSVH2H May 2005 – July 2025 TPS732-Q1
PRODUCTION DATA
TPS732-Q1 低压降 (LDO) 稳压器采用 NMOS 拓扑,其中在电压跟随器配置包含一个 NMOS 导通瞬态。这个拓扑结构在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定,甚至可实现无电容器运行。该拓扑还提供高反向阻断(低反向电流)和接地引脚电流,该电流在所有输出电流上几乎保持恒定。
TPS732-Q1 使用一个先进的双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺来在传送低压降电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。未启用时,电流消耗低于 1μA,非常适合于便携式应用。极低的输出噪声(0.1µF CNR 时为 30μVRMS)使得此器件非常适合为 VCO 供电。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。
| 器件型号 | 封装(1) | 封装尺寸(2) |
|---|---|---|
| TPS732-Q1 | DBV(SOT-23,5) | 2.9mm × 2.8mm |
| DCQ(SOT-223,6) | 6.5mm × 7.06mm | |
| DRB(VSON,8) | 3mm × 3mm |
针对固定电压版本的典型应用电路