ZHCSUX3A July   2025  – November 2025 TPS1686

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 逻辑接口
    7. 6.7 时序要求
    8. 6.8 开关特性
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  欠压保护
      2. 7.3.2  插入延迟
      3. 7.3.3  过压保护
      4. 7.3.4  浪涌电流、过流和短路保护
        1. 7.3.4.1 压摆率 (dVdt) 和浪涌电流控制
          1. 7.3.4.1.1 启动超时
        2. 7.3.4.2 稳定状态过流保护（断路器）
        3. 7.3.4.3 启动期间的工作电流限制
        4. 7.3.4.4 短路保护
      5. 7.3.5  模拟负载电流监测器 (IMON)
      6. 7.3.6  开关启用引脚 (SWEN)
      7. 7.3.7  模拟结温监测器 (TEMP)
      8. 7.3.8  过热保护
      9. 7.3.9  故障响应和指示 (FLT)
      10. 7.3.10 电源正常状态指示 (PG)
      11. 7.3.11 输出放电
      12. 7.3.12 FET 运行状况监测
      13. 7.3.13 单点故障缓解
        1. 7.3.13.1 IMON 引脚单点故障
        2. 7.3.13.2 IREF 引脚单点故障
        3. 7.3.13.3 ITIMER 引脚单点故障
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 单器件独立运行
    2. 8.2 典型应用：数据中心服务器中的 54V 风扇负载保护
      1. 8.2.1 应用
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 详细设计过程
      4. 8.2.4 应用性能曲线图
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 瞬态保护
      2. 8.3.2 输出短路测量
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.7 时序要求

–40°C ≤ TJ ≤ +125°C，VIN = VDD = 45V - 60V，OUT = 开路，RIMON = 2.55kΩ，VIREF = 1V，FLT = 33kΩ 上拉至 3.3V，PGOOD = 33kΩ 上拉至 3.3V，COUT = 10µF，CIN = 10nF，dVdT = 开路，ITIMER = 开路。VEN/UVLO = 2V，TEMP = 开路。  （所有电压均以 GND 为基准（除非另有说明））
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tOVP 过压保护响应时间 VOVP > VOVPR V 至 SWEN↓  3 us
tInsdly 插入延迟 VEN/UVLO > VUVLO(R) 至 SWEN↑ 18 ms
tFFT 固定快速跳变响应时间硬短路 VDS > VDSCOMP 至 SWEN↓ 200 ns
tSFT 可扩展的快速跳变响应时间 IOUT > 3 × ITRIP 至 IOUT↓ 418 ns
tITIMER 过流消隐间隔  IOUT = 1.5 × ITRIP，CITIMER = 开路 0 ms
tITIMER 过流消隐间隔  IOUT = 1.5 × ITRIP，CITIMER = 4.7nF 2.75 ms
tRST 自动重试间隔 自动重试型号 841 ms
tEN(DG) EN/UVLO 抗尖峰脉冲时间 10 us
tSU_TMR 启动超时间隔 SWEN↑ 至 FLT↓   6.9 s
tDischarge QOD 放电时间（VOUT 的 90% 至 10%） VSD < VEN/UVLO < VUVLO，COUT = 0.5mF，VIN = 51V。  920 ms
tQOD QOD 使能计时器 VSD < VEN/UVLO < VUVLO 16 µs