ZHCSUJ6A February   2025  – December 2025 LMG3650R025

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 开关参数
      1. 6.1.1 导通时间
      2. 6.1.2 关断时间
      3. 6.1.3 漏源导通和关断压摆率
      4. 6.1.4 零电压检测时间（仅限 LMG3656R025）
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
      1. 7.2.1 LMG3650R025 功能方框图
      2. 7.2.2 LMG3651R025 功能方框图
      3. 7.2.3 LMG3656R025 功能方框图
      4. 7.2.4 LMG3657R025 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 驱动强度调整
      2. 7.3.2 GaN 功率 FET 开关能力
      3. 7.3.3 VDD 电源
      4. 7.3.4 过流和短路保护
      5. 7.3.5 过热保护
      6. 7.3.6 UVLO 保护
      7. 7.3.7 故障报告
      8. 7.3.8 辅助 LDO（仅限 LMG3651R025）
      9. 7.3.9 零电压检测 (ZVD)（仅限 LMG3656R025）
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 详细设计过程
        1. 8.2.1.1 压摆率选择
        2. 8.2.1.2 信号电平转换
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 使用隔离式电源
      2. 8.3.2 使用自举二极管
        1. 8.3.2.1 二极管选型
        2. 8.3.2.2 管理自举电压
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 焊点可靠性
        2. 8.4.1.2 电源环路电感
        3. 8.4.1.3 信号接地连接
        4. 8.4.1.4 旁路电容器
        5. 8.4.1.5 开关节点电容
        6. 8.4.1.6 信号完整性
        7. 8.4.1.7 高电压间距
        8. 8.4.1.8 热建议
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1.     封装选项附录
    2. 11.1 卷带包装信息
    3.     70

7.3.1 驱动强度调整

LMG365xR025 允许调节器件的驱动强度，并获得所需的压摆率，从而在优化开关损耗和最小化 EMI 时获得灵活性。通过连接电阻器和电容器，可以独立控制导通压摆率的典型值和关断压摆率的最大值，如驱动强度调节电路所示。在上电时被检测一次 FLT/RDRV 引脚上的电阻和电容。为此，该器件会在外部 RDRVon-RDRVoff-CDRVoff 网络上强制执行 0V 至 1.2V 的阶跃函数，并测量生成的电流波形。直流测量值 (Iup) 决定导通压摆率设置，该设置由电阻 RDRVon 编程。RDRVon-RDRVoff-CDRVoff 的交流测量值决定了关断压摆率设置，该设置取决于对输出电容充电的漏极至源极电流大小，但可限制为由电阻 RDRVoff 和电容 CDRVoff（与 RDRVon 并联）编程的最大值。

方程式 1. I up = 1 . 2 RDRV on A

导通压摆率控制表和关断压摆率控制表展示了每种压摆率设置下的建议典型电阻和电容编程值。表中列出的 RDRVon 值假设 FLT/RDRV 引脚上没有寄生电阻。然而，在实际应用中，该引脚通常连接到隔离器输入端，以进行故障监控。隔离器的内部配置可能包括一个上拉电阻器或下拉电阻器，这会导致测量的压摆率和编程的压摆率之间不匹配，因为故障监控和驱动强度调整共用同一个引脚 FLT/RDRV。不建议使用内部上拉电阻，因为 FLT/RDRV 引脚上的电压通过分压器与隔离器电源 Rpull-up 和 RDRVon 改变，从而减少对 Iup 的控制。建议使用带有内部下拉电阻器的隔离器，因为它与 RDRVon 形成并联路径，然后 Iup 由 (Rpull-down || RDRVon) 确定。要匹配编程的导通压摆率设置，请调整 RDRVon，使新的 Iup 保持与编程值一致。

方程式 2. I up = 1 . 2 ( Rpull - down ∥ RDRV on ) A

在上电时确定一次转换率设置，然后 FLT/RDRV 引脚用作推挽式 5V 数字输出以进行故障监控，如 故障报告 中所述。如果不使用 RDRVoff 和 CDRVoff，器件将全速关断，关断压摆率严格取决于 Coss 和负载电流。如果不使用 RDRVon，器件的压摆率设置默认为 80V/ns。使用较慢的导通设置会导致更高的 Eon 损耗，而较慢的关断设置会导致更高的 Eoff 损耗。

LMG3650R025 LMG3651R025 LMG3656R025 LMG3657R025 驱动强度调节电路图 7-1 驱动强度调节电路
表 7-1 用于调整接通回转率的推荐典型编程电阻 (kΩ)
典型导通压摆率 (V/ns) RDRVon(kΩ)(1)
10 29.4
20 35.7
40 43.2
60 53.6
70 69.8
80 > 400(2)
(1) 完全取决于为输出电容充电的漏源电流的大小。
(2) 可接受编程电阻的开路连接。
表 7-2 用于调节关断压摆率限值的建议典型编程电阻 (kΩ) 和电容 (pF)
最大关断压摆率 (V/ns) RDRVoff(kΩ)(1) CDRVoff(pF)(2)
10 2 1800
20 3.57 1000
40 7.68 470
无限(1) 高阻抗 高阻抗
(1) 电阻值容差为 ±1%。
(2) 电容值容差为 ±10%。

例如，设置 RDRVon = 53.6kΩ、RDRVoff = 3.57kΩ 和 CDRVoff = 1000pF 会导致 60V/ns 的导通压摆率，关断压摆率最大限制为 20V/ns。

注： 寄生电源环路电感可能会影响 VDS 开关波形电压转换率读数。在电压下降阶段之前的电流上升阶段，电感会在 VDS 产生一个压降，如果该压降超过 VDC 的 20%，可能会影响电压转换率读数。参阅 节 8.4.1.2，了解电源环路设计指南以及寄生电源环路电感估计方法。