ZHCSUJ6 February   2025 LMG3650R025

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 开关参数
      1. 7.1.1 导通时间
      2. 7.1.2 关断时间
      3. 7.1.3 漏源导通和关断压摆率
      4. 7.1.4 零电压检测时间（仅限 LMG3656R025）
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
      1. 8.2.1 LMG3650R025 功能方框图
      2. 8.2.2 LMG3651R025 功能方框图
      3. 8.2.3 LMG3656R025 功能方框图
      4. 8.2.4 LMG3657R025 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 驱动强度调整
      2. 8.3.2 VDD 电源
      3. 8.3.3 过流和短路保护
      4. 8.3.4 过热保护
      5. 8.3.5 UVLO 保护
      6. 8.3.6 故障报告
      7. 8.3.7 辅助 LDO（仅限 LMG3651R025）
      8. 8.3.8 零电压检测 (ZVD)（仅限 LMG3656R025）
      9. 8.3.9 零电流检测 (ZCD)（仅限 LMG3657R025）
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 压摆率选择
        2. 9.2.2.2 信号电平转换
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 使用隔离式电源
      2. 9.3.2 使用自举二极管
        1. 9.3.2.1 二极管选型
        2. 9.3.2.2 管理自举电压
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

8.1 概述

LMG365xR025 是一款具有集成栅极驱动器的高性能功率 GaN 器件。GaN 器件提供零反向恢复和超低输出电容，可在基于桥的拓扑中获得高效率。

集成驱动器可确保器件在漏极压摆率 时保持关断状态。集成驱动器可保护 GaN 器件免受过流、短路、过热、VDD 欠压和高阻抗 RDRV 引脚的影响。LMG3656R025 具有零电压检测 (ZVD) 功能，可在检测到零电压开关 (ZVS) 时在 ZVD 引脚输出脉冲信号。LMG3657R025 包含零电流检测 (ZCD) 功能，可在检测到正漏源电流时提供来自 ZCD 引脚的脉冲输出。

与 Si MOSFET 不同，GaN 器件在源极到漏极之间没有 p-n 结，因此没有反向恢复电荷。然而，GaN 器件仍然会像 p-n 结体二极管一样从源极导通到漏极，但压降更高，导通损耗更高。因此，必须在 LMG365xR025 GaN FET 关断时尽可能缩短源漏导通时间。