ZHCSUJ5 March   2025 TPS1689

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电气特性
    6. 5.6  PMBus 和 GPIO 直流特性
    7. 5.7  遥测
    8. 5.8  逻辑接口
    9. 5.9  时序要求
    10. 5.10 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  欠压保护
      2. 6.3.2  插入延迟
      3. 6.3.3  过压保护
      4. 6.3.4  浪涌电流、过流和短路保护
        1. 6.3.4.1 压摆率 (dVdt) 和浪涌电流控制
          1. 6.3.4.1.1 启动超时
        2. 6.3.4.2 稳定状态过流保护（断路器）
        3. 6.3.4.3 启动期间的工作电流限制
        4. 6.3.4.4 短路保护
      5. 6.3.5  模拟负载电流监测器 (IMON)
      6. 6.3.6  过热保护
      7. 6.3.7  模拟结温监测器 (TEMP)
      8. 6.3.8  FET 运行状况监测
      9. 6.3.9  单点故障缓解
        1. 6.3.9.1 IMON 引脚单点故障
        2. 6.3.9.2 IREF 引脚单点故障
      10. 6.3.10 通用数字输入/输出引脚
        1. 6.3.10.1 故障响应和指示 (FLT)
        2. 6.3.10.2 电源正常状态指示 (PG)
        3. 6.3.10.3 并联器件同步 (SWEN)
      11. 6.3.11 堆叠多个电子保险丝以使可扩展性不受限制
        1. 6.3.11.1 启动期间的电流平衡
      12. 6.3.12 快速输出放电 (QOD)
      13. 6.3.13 写保护功能 (WP#)
      14. 6.3.14 PMBus® 数字接口
        1. 6.3.14.1  PMBus® 器件寻址
        2. 6.3.14.2  SMBus 协议
        3. 6.3.14.3  SMBus™ 消息格式
        4. 6.3.14.4  数据包错误检查
        5. 6.3.14.5  组命令
        6. 6.3.14.6  SMBus™ 警报响应地址 (ARA)
        7. 6.3.14.7  PMBus® 命令
        8. 6.3.14.8  模数转换器
        9. 6.3.14.9  数模转换器
        10. 6.3.14.10 DIRECT 格式转换
        11. 6.3.14.11 黑盒故障记录
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 单器件独立运行
      2. 7.1.2 单个 TPS1689 和多个 TPS1685 器件，并联连接
      3. 7.1.3 多个 TPS1689 器件：具有单独遥测功能的并联连接
      4. 7.1.4 多器件，独立运行（多区域）
    2. 7.2 典型应用：数据中心服务器中带 PMBus® 接口的 54V、2kW 电源路径保护
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用性能曲线图
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 瞬态保护
      2. 7.3.2 输出短路测量
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 应用限制和勘误表
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 机械数据

7.4.1 布局指南

  • 对于所有应用，TI 建议在 IN 引脚和 GND 引脚之间使用 0.1μF 或更大的陶瓷去耦电容器。

  • 对于所有应用，德州仪器 (TI) 建议在 OUT 端子和 GND 端子之间使用 2.2μF 或更大的陶瓷去耦电容器。

  • 去耦电容器的最佳放置位置是紧靠器件的 IN 引脚和 GND 引脚的位置。请务必注意，尽量减小旁路电容器连接和 IC 的 IN 引脚及 GND 引脚所构成的环路区域。如需 PCB 布局示例，请参阅下面的图。

  • 高载流电源路径连接必须尽可能短，并且其大小必须能够承载至少两倍的满载电流。

  • 必须在 IC 的引脚处将 GND 引脚连接至 PCB 接地平面。PCB 接地必须是电路板上的一个铜层或铜岛。

  • IN 和 OUT 引脚用于散热。通过散热过孔连接至尽可能多的铜区域。

  • 将以下支持元件放置在靠近其连接引脚的位置：

    • CIN

    • COUT

    • CVDD

    • CTEMP

    • RILIM

    • RIMON

    • CIREF

    • CDVDT

    • 用于 EN/UVLO 引脚的电阻器

    • 用于 ADDR0、ADDR1 引脚的电阻器

  • 采用最短的走线将元件另一端连接至器件的 GND 引脚。ADDR0、ADDR1、CIN、COUT、CVDD、CIREF、RILIM、RIMON、CTEMP 和 CDVDT 元件到器件的跟踪布线必须尽可能短，以减少对电流限制和软启动时序的寄生效应。这些走线不得与电路板中的开关信号发生耦合。

  • 由于 IMON、ILIM 和 IREF 引脚直接控制器件的过流保护行为，因此这些节点的 PCB 布线必须远离任何噪声（开关）信号。

  • TI 建议将 SWEN 引脚上的寄生负载保持在最低水平，以避免出现同步问题。

  • 必须将保护器件（如 TVS、缓冲器、电容器或二极管）放置在紧靠其要保护的器件的物理位置。必须使用短迹线为这些保护器件布线以减少电感。例如，TI 建议使用保护肖特基二极管来解决由于电感负载切换而导致的负瞬变，并且它必须位于靠近 OUT 引脚的物理位置。