ZHCSTS3A September   2025  – December 2025 TPSI2240-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 开关特性
    11. 6.11 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 雪崩稳健性
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 电介质耐受测试 (HiPot)
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程 – 底盘接地参考
      4. 9.2.4 应用性能曲线图
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

6.9 电气特性

除非另有说明，否则所有最小/最大规格都在建议运行条件下测得。所有典型值都在 TJ = 25°C、VVDD = 5V、VEN = 5V 的条件下测得。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
初级侧电源电压 (VDD)
VUVLO_R VDD 欠压阈值上升 VDD 上升

 4.1 4.3 4.5 V
VUVLO_F VDD 欠压阈值下降 VDD 下降 4.0 4.2 4.45 V
VUVLO_HYS VDD 欠压阈值迟滞 25 75 mV
IVDD_ON VDD 电流，器件上电 TJ = 25°C 8.5 11 mA
–40°C ≤ TJ ≤ 150°C 8.5 12 mA
IVDD_OFF VDD 电流，5V，器件断电 VVDD = 5V，VEN = 0V，TJ = 25°C 3.5 8 µA
VVDD = 5V，VEN = 0V，TJ = 105°C 6.3 11 µA
VVDD = 5V，VEN = 0V，TJ = 125°C 7.6 16 µA
VVDD = 5V，VEN = 0V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C 30 µA
VDD 电流，20V，器件断电 VVDD = 20V，VEN = 0V TJ = 25°C 8 10.5 µA
VVDD = 20V，VEN = 0V，TJ = 105°C 13 17
VVDD = 20V，VEN = 0V，TJ = 125°C 15 25
VVDD = 20V，VEN = 0V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C 40
FET 特性（S1、S2）
RDSON 导通电阻 IO = 2mA，TJ = 25°C 130 175 Ω
IO = 2mA，TJ = 85°C 176 235
IO = 2mA，TJ = 105°C 192 250
IO = 2mA，TJ = 125°C 210 275
IO = 2mA，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C 300
IOFF 关断泄漏，1200V V = +/–1200V，TJ = 25°C 0.058 0.25 µA
V = +/–1200V，TJ = 85°C 0.5
V = +/–1200V，TJ = 105°C 1.5
V = +/–1200V，TJ = 125°C 7
V = +/–1200V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C 50
关断泄漏，1000V V = +/–1000V，TJ = 25°C 0.055 0.25 µA
V = +/–1000V，TJ = 85°C 0.43
V = +/–1000V，TJ = 105°C 1.22
V = +/–1000V，TJ = 125°C 5.75
V = +/–1000V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C 44
VAVA 雪崩电压 IO = 10µA，TJ = 25°C 1300 1550 V
IO = 100µA，TJ = 150°C 1300 1550
COSS S1、S2 电容 VS1,S2 = 0V，SM 悬空，F = 1MHz 71 pF
TTAP1
热雪崩保护阈值（仅限 TPSI2240T-Q1）
 		 置为有效 160 C
TTAP_END
热雪崩保护阈值（仅限 TPSI2240T-Q1）
 		 置为无效 85 125 C
逻辑电平输入 (EN
VIL 输入逻辑低电平电压 0.0 0.8 V
VIH 输入逻辑高电平电压 2.1 20.0 V
VHYS 输入逻辑迟滞 100 250 300 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VEN = 0V -0.1 0.1 µA
VEN = 0.8V 0.1 0.68 6.5 µA
IIH 输入逻辑高电流 VEN = 5V 1.5 4.4 15 µA
VEN = 10V 2 13 30 µA
VEN = 20V 10 32 65 µA
IVDD_FS VDD 失效防护电流 VEN = 20V，VVDD = 0V -0.1 0 0.1 µA
RPD 下拉电阻 两点测量，VEN = 0.5V 且 VEN = 0.8V 589 1180 2050 kΩ
噪声抗扰度
CMTI 共模瞬态抗扰度 |VCM| = 1000V 100.0 V/ns