ZHCSTR1B November   2023  – January 2026 ESD852 , ESD862

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4引脚配置和功能
  6. 5规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 建议运行条件
    3. 5.3 热性能信息
    4. 5.4 电气特性
    5. 5.5 典型特性 - ESD852 (SOT-23)
    6. 5.6 典型特性 - ESD852 (DFN1110-3)
    7. 5.7 典型特性 - ESD862
  7. 6应用和实施
    1. 6.1 应用信息
  8. 7器件和文档支持
    1. 7.1 文档支持
      1. 7.1.1 相关文档
    2. 7.2 接收文档更新通知
    3. 7.3 支持资源
    4. 7.4 商标
    5. 7.5 静电放电警告
    6. 7.6 术语表
  9. 8修订历史记录
  10. 9机械、封装和可订购信息

5.4 电气特性

在 TA = 25°C 条件下（除非另有说明）
参数 测试条件 器件 封装 最小值 典型值 最大值 单位
VRWM 反向关断电压 ESD852、ESD862 SOT-23 和 DFN1110-3 -36 36 V
VBRF 正向击穿电压，任意 IO 引脚至 GND(1) IIO = 1mA ESD852、ESD862 SOT-23 和 DFN1110-3 37.8 40 44.2 V
VBRR 反向击穿电压，任意 IO 引脚至 GND(1) IIO = -1mA ESD852、ESD862 SOT-23 和 DFN1110-3 -44.2 -40 -37.8 V
VCLAMP 钳位电压(2) IPP = 1A，tp = 8/20µs，从 IO 到 GND ESD852 SOT-23 43 V
IPP = 4.3A，tp = 8/20µs，从 IO 到 GND 61 V
IPP = 16A，TLP，从 IO 到 GND，包括正电流和负电流 63 V
IPP = 1A，tp = 8/20µs，从 IO 到 GND DFN1110-3 44 V
IPP = 3.8A，tp = 8/20µs，从 IO 到 GND 66 V
IPP = 16A，TLP，从 IO 到 GND，包括正电流和负电流 65 V
IPP = 1A，tp = 8/20µs，从 IO 到 GND ESD862 SOT-23 47 V
IPP = 3.1A，tp = 8/20µs，从 IO 到 GND 61 V
IPP = 16A，TLP，从 IO 到 GND，包括正电流和负电流 64 V
ILEAK 漏电流，任何 IO 引脚至 GND VIO = ±36V ESD852、ESD862 SOT-23 和 DFN1110-3 50 nA
RDYN 动态电阻(3) IO 至 GND，GND 至 IO ESD852、ESD862 SOT-23 0.49 Ω
ESD852 DFN1110-3 0.65 Ω
CL 输入电容、任何 IO 至 GND VIO = 0V，f = 1MHz，Vp-p = 30mV ESD852 SOT-23 2.8 3.5 pF
DFN1110-3 3 4 pF
ESD862 SOT-23 2.6 2.9 pF
(1) VBRF 和 VBRR 定义为在器件锁存到回扫状态之前，在正向方向上施加 1mA 电流时的电压。
(2) 根据 IEC 61000-4-5 器件承受 8/20μs 指数衰减波形的应力。
(3) 非重复电流脉冲、传输线路脉冲 (TLP)；方波脉冲；ANSI / ESD STM5.5.1-2008