ZHCST41C September   2023  – September 2025 LMG3624

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 GaN 功率 FET 开关参数
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 GaN 功率 FET 开关能力
      2. 7.3.2 导通压摆率控制
      3. 7.3.3 电流检测仿真
      4. 7.3.4 输入控制引脚（EN、IN）
      5. 7.3.5 AUX 电源引脚
        1. 7.3.5.1 AUX 上电复位
        2. 7.3.5.2 AUX 欠压锁定 (UVLO)
      6. 7.3.6 过流保护
      7. 7.3.7 过热保护
      8. 7.3.8 故障报告
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 导通压摆率设计
        2. 8.2.2.2 电流检测设计
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 焊点应力消除
        2. 8.4.1.2 信号接地连接
        3. 8.4.1.3 CS 引脚信号
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 机械数据

7.3.6 过流保护

LMG3624 可为 GaN 功率 FET 实现逐周期过流保护。图 7-5 展示了逐周期过流操作。每个 IN 逻辑高电平周期都会打开 GaN 功率 FET。如果 GaN 功率 FET 漏极电流超过过流阈值电流，过流保护会在 IN 逻辑高电平的剩余时间内关断 GaN 功率 FET。


LMG3624 逐周期过流保护操作

图 7-5 逐周期过流保护操作

未在 FLT 引脚上报告过流保护事件。逐周期过流保护功能可更大限度地减少系统中断，因为不会报告该事件，并且保护功能允许 GaN 功率 FET 在每个 IN 周期导通一次。

为了防止控制器进入挂起状态，低侧过流保护会关断低侧 GaN 功率 FET，从而产生人工 CS 引脚电流，如 节 7.3.3 中所述。