ZHCSSN2J April   2003  – June 2025 TPS793-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.3.2 关断
      3. 6.3.3 折返电流限制
      4. 6.3.4 热保护
      5. 6.3.5 反向电流运行
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 退出压降
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 外部电容器要求
        2. 7.2.2.2 可调节运行
          1. 7.2.2.2.1 可调节运行（旧芯片）
          2. 7.2.2.2.2 可调节运行（新芯片）
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
        2. 7.4.1.2 功率耗散和结温
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.5 电气特性

在建议的工作温度范围内测得，TJ = –40°C 至 +125°C，VEN = VIN，VIN = VO(typ) + 1V，IOUT = 1mA，COUT = 10µF，CNR = 0.01µF（旧芯片）（除非另有说明）。所有典型值均在 TJ= 25°C 下测得。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VIN 输入电压范围 2.7 5.5 V
IOUT 持续输出电流 0 200 mA
TJ 工作结温 -40 125 oC
VOUT 输出电压范围 TPS79301-Q1 VFB 5.5 – VDROPOUT V
TPS79318-Q1 0µA < IOUT < 200mA，2.8V < VIN < 5.5V 1.764 1.8 1.836
TPS79325-Q1 0µA < IOUT < 200mA，3.5V < VIN < 5.5V 2.45 2.5 2.55
TPS79328-Q1 0µA < IOUT < 200mA，3.8V < VIN < 5.5V 2.744 2.8 2.856
TPS79330-Q1（仅旧芯片） 0µA < IOUT < 200mA，4V < VIN < 5.5V 2.94 3 3.06
TPS79333-Q1 0µA < IOUT < 200mA，4.3V < VIN < 5.5V 3.234 3.3 3.366
TPS793475-Q1（仅旧芯片） 0µA < IOUT < 200mA，5.25V < VIN < 5.5V 4.655 4.75 4.845
IGND 静态电流（GND 电流） 0µA ≤ IO ≤ 200mA（旧芯片） 170 220 µA
0µA ≤ IO ≤ 200mA（新芯片） 250 1000
ΔVOUT/ΔIOUT 负载调整率 0µA ≤ IOUT ≤ 200mA 5 mV
ΔVOUT/ΔVIN 线路调整 VOUT + 1V ≤ VIN ≤ 5.5V 0.05 0.12 %/V
Vn 输出噪声电压 TPS79328-Q1 BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 200mA CNR = 0.001µF 55 µVRMS
BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 200mA CNR = 0.0047µF 36
BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 200mA CNR = 0.01µF 33
BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 200mA CNR = 0.1µF 32
BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 200mA （新芯片） 69
tSTR 启动时间 (TPS79328-Q1) RL = 14Ω，COUT = 1µF CNR = 0.001µF 50 µs
CNR = 0.0047µF 50
CNR = 0.01µF 50
（新芯片） 500
ICL 输出电流限制 VOUT = 0V（旧芯片） 285 600 mA
VIN = VOUT(NOM) + 1V，VOUT = 0.9 x VOUT(NOM)（仅限新芯片） 320 460
ISC 短路电流限制 VOUT = 0V（新芯片） 175 mA
ISHDN 关断电流 VEN = 0V，2.7V < VI < 5.5V（旧芯片） 0.07 1 µA
VEN = 0V，2.7V < VI < 5.5V（新芯片） 0.01 1
VEN(HI) 高电平使能输入电压 2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V  1.7 VIN V
2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V（新芯片） 0.85 VIN
VEN(LOW) 低电平使能输入电压 2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V 0 0.7 V
2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V（新芯片） 0 0.425
IEN 使能引脚电流 VEN = 0V -1 1 µA
IFB 反馈引脚电流  VFB = 1.8V（旧芯片） 1 µA
VFB = 1.8V（新芯片） 0.05
VREF 内部基准 1.201 1.225 1.25 V
PSRR 电源抑制比 (TPS79328-Q1) f = 100Hz IOUT = 10mA（旧芯片） 70 dB
IOUT = 10mA（新芯片） 64
IOUT = 200mA（旧芯片） 68
IOUT = 200mA（新芯片） 65
f = 10kHz IOUT = 200mA（旧芯片） 70
IOUT = 200mA（新芯片） 49
f = 100kHz IOUT = 200mA（旧芯片） 43
IOUT = 200mA（新芯片） 39
VDO 压降电压 (TPS79328-Q1) VIN= VOUT - 0.1V，IOUT = 200mA  120 200 mV
压降电压 (TPS793285-Q1)（仅限旧芯片） VIN= VOUT - 0.1V，IOUT = 200mA  120 200
压降电压 (TPS79330-Q1) VIN= VOUT - 0.1V，IOUT = 200mA  112 200
压降电压 (TPS79333-Q1) VIN= VOUT - 0.1V，IOUT = 200mA  112 180
压降电压 (TPS793475-Q1)（仅限旧芯片） VIN= VOUT - 0.1V，IOUT = 200mA  77 125
VUVLO UVLO 阈值 VIN 上升（旧芯片） 2.25 2.65 V
VIN 上升（新芯片） 1.32 1.6
VUVLO(HYST) UVLO 迟滞 TJ = 25°C，VCC 上升（旧芯片） 100 mV
TJ = 25°C，VCC 上升（新芯片） 130