ZHCSSN2J April   2003  – June 2025 TPS793-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.3.2 关断
      3. 6.3.3 折返电流限制
      4. 6.3.4 热保护
      5. 6.3.5 反向电流运行
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 退出压降
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 外部电容器要求
        2. 7.2.2.2 可调节运行
          1. 7.2.2.2.1 可调节运行（旧芯片）
          2. 7.2.2.2.2 可调节运行（新芯片）
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
        2. 7.4.1.2 功率耗散和结温
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.2.2.1 外部电容器要求

为了实现稳定性，需要在 IN 和 GND 之间连接一个 0.1μF 或更大电容值的陶瓷输入旁路电容器，并将其靠近 TPS793-Q1 放置。该电容器增强了瞬态响应、噪声抑制和纹波抑制。如果出现较大、快速上升时间的负载瞬态以及器件距离电源几英寸远，则需要一个更大电容值的电解输入电容器。

TPS793-Q1 需要在 OUT 和 GND 之间连接一个输出电容器，以稳定内部控制环路。对于旧芯片，建议的最小电容为 2.2μF。对于新芯片，建议的最小电容为 0.47µF。只要电容不随温度的变化而显著变化，任何 2.2μF 或更大电容值的陶瓷电容器都可用。

内部电压基准是 LDO 稳压器中的主要噪声源。TPS793-Q1（旧芯片）具有 BYPASS 引脚，通过 250kΩ 内部电阻器连接到电压基准。250kΩ 内部电阻器与连接到 BYPASS 引脚的外部旁路电容器配合使用，形成一个低通滤波器。该滤波器可降低电压基准噪声，从而降低稳压器输出端的噪声。为了使稳压器正常运行，请确保流出 BYPASS 引脚的电流达到最小值。任何漏电流都会在内部电阻器上产生 IR 压降，从而导致输出误差。因此，应确保旁路电容器具有最小漏电流。