ZHCSSN2J April   2003  – June 2025 TPS793-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.3.2 关断
      3. 6.3.3 折返电流限制
      4. 6.3.4 热保护
      5. 6.3.5 反向电流运行
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 退出压降
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 外部电容器要求
        2. 7.2.2.2 可调节运行
          1. 7.2.2.2.1 可调节运行(旧芯片)
          2. 7.2.2.2.2 可调节运行(新芯片)
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
        2. 7.4.1.2 功率耗散和结温
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

反向电流运行

旧芯片版本的 TPS793-Q1 的 PMOS 导通晶体管具有内置反向二极管,能够在输入电压降至输出电压以下时导通反向电流。例如断电期间。电流是从输出传导到输入,不受内部限制。如果要在较高的反向电压下工作,建议将该电流限制在额定输出电流的 5% 范围内。

新芯片版本的 TPS793-Q1 与大多数新型 LDO 一样,反向电流过大会损坏该器件。

反向电流流经导通晶体管上的体二极管,而不是正常的传导通道。如果幅度较大,该电流会因出现以下情况之一,从而降低器件的长期可靠性:

  • 由电迁移引起的退化
  • 过度散热
  • 可能导致闩锁

本节概述了会发生反向电流的条件,所有这些条件都可能超过 VOUT > VIN + 0.3V 的绝对最大额定值:

  • 如果器件具有较大的 COUT 且输入电源崩溃,则负载电流极小或无负载电流
  • 当输入电源未建立时,输出被偏置
  • 输出偏置为高于输入电源

如果应用中需要反向电流,请使用外部保护来保护器件。图 6-7 展示了保护器件的一种方法。

TPS793-Q1 使用肖特基二极管的反向电流保护示例电路图 6-7 使用肖特基二极管的反向电流保护示例电路