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ZHCSRZ2B April 2023 – December 2025 ESD451

PRODUCTION DATA

5.6 电气特性

在 TA = 25°C 条件下（除非另有说明）⁽¹⁾

参数		封装	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
V_RWM	反向关断电压	DPL 和 DPY 封装	I_IO < 100nA，在工作温度范围内	-5.5		5.5	V
I_LEAK	反向漏电流		V_IO= 5.5V，IO 至 GND 或 GND 至 IO		5	50	nA
V_BR	击穿电压		I_IO = 1mA，IO 至 GND	7	8	9	V
V_CLAMP	使用 TLP 时的钳位电压	DPL 封装	I_PP = 1A，TLP，IO 至 GND		7.6		V
			I_PP = 5A，TLP，IO 至 GND		8.2
			I_PP = 16A，TLP，IO 至 GND		10.4
			I_PP = 1A，TLP，GND 至 IO		7.6
			I_PP = 5A，TLP，GND 至 IO		8.2
			I_PP = 16A，TLP，GND 至 IO		10.4
	浪涌冲击的钳位电压 ⁽³⁾		I_PP = 6A，t_p = 8/20µs，IO 至 GND		9.5
	浪涌冲击的钳位电压 ⁽³⁾		I_PP = 6A，t_p = 8/20µs，GND 至 IO		9.5
R_DYN	动态电阻 ⁽²⁾		IO 至 GND		0.19		Ω
R_DYN	动态电阻 ⁽²⁾		GND 至 IO		0.19		Ω
V_CLAMP	使用 TLP 时的钳位电压	DPY 封装	I_PP = 1A，TLP，IO 至 GND		8.2		V
			I_PP = 5A，TLP，IO 至 GND		9.2
			I_PP = 16A，TLP，IO 至 GND		11.5
			I_PP = 1A，TLP，GND 至 IO		8.2
			I_PP = 5A，TLP，GND 至 IO		9.2
			I_PP = 16A，TLP，GND 至 IO		11.5
	浪涌冲击的钳位电压 ⁽³⁾		I_PP = 6A，t_p = 8/20µs，IO 至 GND		10
	浪涌冲击的钳位电压 ⁽³⁾		I_PP = 6A，t_p = 8/20µs，GND 至 IO		10
R_DYN	动态电阻 ⁽²⁾		IO 至 GND		0.24		Ω
R_DYN	动态电阻 ⁽²⁾		GND 至 IO		0.24		Ω
C_L	线路电容	DPL 和 DPY 封装	V_IO = 0V；ƒ = 1MHz，V_pp = 30mV，IO 至 GND 或 IO 至 GND		0.5		pF

(1) 典型参数在 25℃ 时测得

(2) 在 I = 10A 和 I = 20A 之间使用 TLP 特性的最小二乘拟合来提取 R_DYN

(3) 符合 IEC 61000-4-5 标准的非重复电流脉冲 8μs 至 20μs 指数衰减波形