ZHCSP10D November   2021  – January 2023 ISOUSB111

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议工作条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  额定功率
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 开关特性
    11. 6.11 绝缘特性曲线
    12. 6.12 典型特性
  7. 7 参数测量信息
    1. 7.1 测试电路
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电源选项
      2. 8.3.2 上电
      3. 8.3.3 对称操作、双角色端口和角色交换
      4. 8.3.4 连接和速度检测
      5. 8.3.5 断开检测
      6. 8.3.6 复位
      7. 8.3.7 LS/FS 消息流量
      8. 8.3.8 L2 电源管理状态（暂停）和恢复
      9. 8.3.9 L1 电源管理状态（睡眠）和恢复
    4. 8.4 器件功能模式
  9. 9 电源相关建议
  10. 10应用和实现
    1. 10.1 典型应用
      1. 10.1.1 隔离式主机或集线器
      2. 10.1.2 隔离式外设 - 自供电
      3. 10.1.3 隔离式外设 - 总线供电
      4. 10.1.4 应用曲线
        1. 10.1.4.1 绝缘寿命
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 布局示例
      2. 11.1.2 PCB 材料
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 卷带封装信息

11.1.1 布局示例

本部分中的布局示例显示了去耦电容器和 ESD 保护二极管的建议放置方式。建议在 D+/D- 信号布线下方使用连续的接地层。建议使用小尺寸电容器 (0402/0201)，以便可以将它们放置在非常靠近电源引脚和相应接地引脚的位置并使用顶层进行连接。去耦电容器与相应电源和接地引脚之间的布线路径上不应有任何过孔。ESD 保护二极管应靠近连接器放置，并与接地层牢固连接。所示的示例适用于隔离式主机或集线器，但类似的注意事项也适用于隔离式外设。VBUS 上的 120μF 电容器仅适用于主机或集线器，而不应用于外设。可以选择在 VBUS 线路上的 100nF（和 120μF）电容器之后放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠，以防止 ESD 等瞬变影响电路的其余部分。

为了获得理想性能，建议尽量缩短从 MCU 到 ISOUSB111，以及从 ISOUSB111 到连接器的 D+/D- 电路板布线长度。必须避免 D+/D- 线路上的过孔和残桩。

图 11-1 ISOUSB111 布局示例.