ZHCSNW3B May   2021  – February 2025 TXU0104

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电气特性
    6. 5.6  开关特性：Tsk，TMAX
    7. 5.7  开关特性，VCCA = 1.2V ± 0.1V
    8. 5.8  开关特性，VCCA = 1.5V ± 0.1V
    9. 5.9  开关特性，VCCA = 1.8V ± 0.15V
    10. 5.10 开关特性，VCCA = 2.5V ± 0.2V
    11. 5.11 开关特性，VCCA = 3.3V ± 0.3V
    12. 5.12 开关特性，VCCA = 5.0 ± 0.5V
    13. 5.13 工作特性
    14. 5.14 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 负载电路和电压波形
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  具有集成下拉电阻的 CMOS 施密特触发器输入
        1. 7.3.1.1 带有集成静态下拉电阻的输入
      2. 7.3.2  控制逻辑 (OE / OE) 与 VCC(MIN) 电路
      3. 7.3.3  平衡型高驱动 CMOS 推挽式输出
      4. 7.3.4  局部断电 (Ioff)
      5. 7.3.5  VCC 隔离和 VCC 断开
      6. 7.3.6  过压容限输入
      7. 7.3.7  无干扰电源定序
      8. 7.3.8  负钳位二极管
      9. 7.3.9  完全可配置的双轨设计
      10. 7.3.10 支持高速转换
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计流程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.1 具有集成下拉电阻的 CMOS 施密特触发器输入

标准 CMOS 输入为高阻抗，通常建模为与输入电容并联的电阻器，如节 5.5 中所示。最坏情况下的电阻是根据节 5.1中给出的最大输入电压和电气特性中给出的最大输入漏电流，使用欧姆定律 (R = V ÷ I) 计算得出的。

施密特触发输入架构可提供由电气特性中的 ΔVT 定义的迟滞，因而此器件能够很好地耐受慢速或高噪声输入。较慢地驱动输入会增加器件的动态电流消耗。有关施密特触发输入的更多信息，请参阅了解施密特触发。