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ZHCSN28C March 2021 – September 2025 DLP651NE

PRODUCTION DATA

5.4 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围和电源电压（除非另有说明）⁽¹⁾

参数名称		最小值	标称值	最大值	单位
电源电压⁽²⁾⁽³⁾
V_DD	LVCMOS 内核逻辑和低速接口 (LSIF) 的电源电压	1.71	1.8	1.95	V
V_DDA	高速串行接口 (HSSI) 接收器的电源电压	1.71	1.8	1.95	V
V_OFFSET	HVCMOS 和微镜电极的电源电压⁽⁴⁾	9.5	10	10.5	V
V_BIAS	微镜电极的电源电压	15.5	16	16.5	V
V_RESET	微镜电极的电源电压	-12.5	-12	-11.5	V
\| V_DDA – V_DD \|	电源电压差值（绝对值）⁽⁵⁾			0.3	V
\| V_BIAS – V_OFFSET \|	电源电压差值（绝对值）⁽⁶⁾			10.5	V
\| V_BIAS – V_RESET \|	电源电压差值（绝对值）			29	V
LVCMOS 输入
V_IH	高电平输入电压⁽⁷⁾	0.7 × V_DD			V
V_IL	低电平输入电压⁽⁷⁾			0.3 × V_DD	V
低速接口 (LSIF)
f_CLOCK	LSIF 时钟频率 (LS_CLK)⁽⁸⁾	108	120	130	MHz
DCD_IN	LSIF 占空比失真 (LS_CLK)	44%		56%
\| V_ID \|	LSIF 差分输入电压幅度⁽⁸⁾	150	350	440	mV
V_LVDS	LSIF 电压⁽⁸⁾	575		1520	mV
V_CM	共模电压⁽⁸⁾	700	900	1300	mV
Z_LINE	线路差分阻抗（PWB/引线）	90	100	110	Ω
Z_IN	内部差分端接电阻	80	100	120	Ω
高速串行接口 (HSSI)
f_CLOCK	HSSI 时钟频率 (DCLK)⁽⁹⁾	1.2		1.6	GHz
DCD_IN	HSSI 占空比失真 (DCLK)	44%	50%	56%
\| V_ID \| Data	HSSI 差分输入电压幅度数据通道⁽⁹⁾	100		600	mV
\| V_ID \| CLK	HSSI 差分输入电压幅度时钟通道⁽⁹⁾	295		600	mV
VCM_DCData	输入共模电压（直流）数据通道⁽⁹⁾	200	600	800	mV
VCM_DC CLK	输入共模电压（直流）时钟通道⁽⁹⁾	200	600	800	mV
VCM_ACp-p	数据通道和时钟通道共模电压上的交流峰峰值（纹波）⁽⁹⁾			100	mV
Z_LINE	线路差分阻抗（PWB/引线）		100		Ω
Z_IN	内部差分端接电阻 (R_Xterm)	80	100	120	Ω
环境
T_ARRAY	长期工作时的阵列温度⁽¹⁰⁾⁽¹¹⁾⁽¹²⁾⁽¹³⁾	10		40 至 70	°C
T_ARRAY	短期工作（最长 500 个小时）时的阵列温度⁽¹¹⁾⁽¹⁴⁾	0		10	°C
T_DP-AVG	平均露点温度（非冷凝）⁽¹⁵⁾			28	°C
T_DP-ELR	高露点温度范围（非冷凝）⁽¹⁶⁾	28		36	°C
CT_ELR	高露点温度范围内的累积时间			24	月
Q_AP-ILL	窗口孔隙照明溢出⁽¹⁷⁾⁽¹⁸⁾			17	W/cm²
灯照明
ILL_UV	照明波长 < 395nm⁽¹⁰⁾		0.68	2	mW/cm²
ILL_VIS	395nm 至 800nm 之间的照明波长			29.3	W/cm2
ILL_IR	照明波长 > 800nm			10	mW/cm²
固态照明
ILL_UV	照明波长 < 410nm⁽¹⁰⁾			3	mW/cm²
ILL_VIS	410nm 至 800nm 之间的照明波长			34.7	W/cm2
ILL_IR	照明波长 > 800nm			10	mW/cm²

(1) 建议运行条件 在最终产品中安装 DMD 之后适用。

(2) 运行 DMD 需要连接以下所有电源：V_DD、V_DDA、V_OFFSET、V_BIAS 和 V_RESET。运行 DMD 需要所有 V_SS 连接。

(3) 所有电压值均以 V_SS 接地引脚为基准。

(4) V_OFFSET 电源电压瞬态必须处于指定的最大电压范围内。

(5) 为了防止电流过大，电源电压差值 | V_DDA – V_DD | 必须小于指定的限值。

(6) 为了防止电流过大，电源电压差值 | V_BIAS – V_OFFSET | 必须小于指定的限值。

(7) LVCMOS 输入引脚为 DMD_DEN_ARSTZ。

(8) 请参阅“时序要求”中的低速接口 (LSIF) 时序要求。

(9) 请参阅“时序要求”中的高速串行接口 (HSSI) 时序要求。

(10) 如果 DMD 同时暴露于温度和 UV 照明的最大建议运行条件下，则将缩短器件寿命。

(11) 阵列温度无法直接测量，必须通过在测试点 (TP1)（如图 6-1 所示）测量的温度以及封装热阻（使用微镜阵列温度计算）进行分析计算。

(12) 根据图 5-1，最大工作阵列温度应根据 DMD 在最终应用中经历的微镜着陆占空比进行降额。有关微镜着陆占空比的定义，请参阅“微镜着陆占空比”。

(13) 长期定义为器件的使用寿命。

(14) 短期是器件使用寿命期间的总累积时间。

(15) 器件不在高露点温度范围内的随时间变化的平均值（包括存储和运行）。

(16) 在存储和运行期间，暴露于高范围内的露点温度应限制在 CT_ELR 的总累积时间以内。

(17) DMD 的工作区域被 DMD 窗口表面内的孔隙包围，该孔隙遮挡了正常视图中 DMD 器件组件的结构。该孔隙的大小可以预测多种光学条件。照亮有源阵列外部区域的溢出光会产生散射，并对使用 DMD 的终端应用的性能产生不利影响。照明光学系统的设计应最大限度地减少入射到有源阵列外的光通量。根据特定系统的光学架构和组装公差，有源阵列外部的溢出光量可能会导致系统性能下降。

(18) 适用于图 5-2 中的红色区域。

图 5-1 最大建议阵列温度 — 降额曲线

图 5-2 照明溢出图 — 关键区域