ZHCSN28C March   2021  – September 2025 DLP651NE

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  存储条件
    3. 5.3  ESD 等级
    4. 5.4  建议运行条件
    5. 5.5  热性能信息
    6. 5.6  电气特性
    7. 5.7  开关特性
    8.     14
    9. 5.8  时序要求
    10.     16
    11. 5.9  系统安装接口负载
    12.     18
    13. 5.10 微镜阵列物理特性
    14.     20
    15. 5.11 微镜阵列光学特性
    16. 5.12 窗口特性
    17. 5.13 芯片组元件使用规格
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 电源接口
      2. 6.3.2 时序
    4. 6.4 器件功能模式
    5. 6.5 光学接口和系统图像质量注意事项
      1. 6.5.1 数字光圈和杂散光控制
      2. 6.5.2 光瞳匹配
      3. 6.5.3 照明溢出
    6. 6.6 微镜阵列温度计算
    7. 6.7 微镜功率密度计算
    8. 6.8 窗口孔隙照明溢出计算
    9. 6.9 微镜着陆打开/着陆关闭占空比
      1. 6.9.1 微镜着陆开/着陆关占空比的定义
      2. 6.9.2 DMD 的着陆占空比和使用寿命
      3. 6.9.3 着陆占空比和运行 DMD 温度
      4. 6.9.4 估算产品或应用的长期平均着陆占空比
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 温度传感器二极管
  9. 8 电源相关建议
    1. 8.1 电源时序要求
    2. 8.2 DMD 电源上电过程
    3. 8.3 DMD 电源断电过程
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 阻抗要求
    3. 9.3 层
    4. 9.4 布线宽度、间距
    5. 9.5 电源
    6. 9.6 布线长度匹配建议
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 器件支持
      1. 10.2.1 器件命名规则
      2. 10.2.2 器件标识
    3. 10.3 文档支持
      1. 10.3.1 相关文档
    4. 10.4 接收文档更新通知
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装选项附录
      1. 12.1.1 封装信息

5.1 绝对最大额定值

超出“绝对最大额定值”运行可能会对器件造成永久损坏。“绝对最大额定值”并不表示器件在这些条件下或在“建议运行条件”以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出建议运行条件但在绝对最大额定值范围内，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、功能和性能，并缩短器件寿命。
参数名称 说明 最小值 最大值 单位
电源电压
VDD LVCMOS 内核逻辑和 LVCMOS 低速接口 (LSIF) 的电源电压(1) -0.5 2.3 V
VDDA 高速串行接口 (HSSI) 接收器的电源电压(1) -0.3 2.2 V
VOFFSET HVCMOS 和微镜电极的电源电压(1)(2) -0.5 11 V
VBIAS 微镜电极的电源电压(1) -0.5 17 V
VRESET 微镜电极的电源电压(1) -13 0.5 V
| VDDA – VDD | 电源电压差值（绝对值）(3) 0.3 V
| VBIAS – VOFFSET | 电源电压差值（绝对值）(4) 11 V
| VBIAS – VRESET | 电源电压差值（绝对值）(5) 30 V
输入电压
其他输入的输入电压 – LSIF 和 LVCMOS(1) -0.5 2.45 V
其他输入的输入电压 – HSSI(1)(6) -0.2 VDDA V
低速接口 (LSIF)
fCLOCK LSIF 时钟频率 (LS_CLK) 130 MHz
| VID | LSIF 差分输入电压幅度(6) 810 mV
IID LSIF 差分输入电流(7) 10 mA
高速串行接口 (HSSI)
fCLOCK HSSI 时钟频率 (DCLK) 1.65 GHz
| VID | HSSI 差分输入电压幅度数据通道(6) 700 mV
| VID | HSSI 差分输入电压幅度时钟通道(6) 700 mV
环境
TARRAY 工作时的温度(8) 0 90 °C
TARRAY 未工作时的温度(8) -40 90 °C
TDP 工作和未工作时的露点温度（非冷凝） 81 ºC
(1) 所有电压值均以接地端子 (VSS) 为基准。为了确保 DMD 正常运行，必须连接以下所需的电源：VDD、VDDA、VOFFSET、VBIAS 和 VRESET。同时还需要所有的 VSS 连接。
(2) VOFFSET 电源电压瞬态必须处于指定的电压范围内。
(3) 如果超过 VDDA 和 VDD 之间的建议允许绝对电压差值，则可能导致电流消耗过大。
(4) 如果超过 VBIAS 和 VOFFSET 之间的建议允许绝对电压差值，则可能导致电流消耗过大。
(5) 如果超过 VBIAS 和 VRESET 之间的建议允许绝对电压差值，则可能导致电流消耗过大。
(6) 当差分对的每个输入处于相同的电压电势时，该最大输入电压额定值适用。LVDS 和 HSSI 差分输入不得超过指定的限值，否则可能会损坏内部端接电阻器。
(7) 差分输入不得超过指定的限值，否则可能会损坏内部端接电阻器。规范适用于高速串行接口 (HSSI) 和低速接口 (LSI)。
(8) 阵列温度无法直接测量，必须通过在测试点 (TP1) 测量的温度以及封装热阻（使用微镜阵列温度计算）进行分析计算。