ZHCSMA7E January   2022  – April 2026 TPS4811-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 建议运行条件
    3. 6.3 ESD 等级
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵和栅极驱动器输出（VS、PU、PD、BST、SRC）
      2. 8.3.2 容性负载驱动
        1. 8.3.2.1 FET 栅极压摆率控制
        2. 8.3.2.2 使用预充电 FET -（仅限 TPS48111Q1）
      3. 8.3.3 过流和短路保护
        1. 8.3.3.1 具有自动重试功能的过流保护
        2. 8.3.3.2 具有锁闭的过流保护
        3. 8.3.3.3 短路保护
      4. 8.3.4 模拟电流监测器输出 (IMON)
      5. 8.3.5 过压 (OV) 和欠压保护 (UVLO)
      6. 8.3.6 远程温度感应和保护 (DIODE)
      7. 8.3.7 输出反极性保护
      8. 8.3.8 TPS4811x-Q1 用作简单的栅极驱动器
    4. 8.4 器件功能模式（关断模式）
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用：在配电单元中驱动 KL40 线路上的 HVAC PTC 加热器负载
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电流检测电阻 RSNS 的选型
        2. 9.2.2.2 选择调节电阻 RSET
        3. 9.2.2.3 设定过流保护阈值 - RIWRN 选型
        4. 9.2.2.4 对短路保护阈值进行编程 - RISCP 选型
        5. 9.2.2.5 对故障计时器周期进行编程 - CTMR 选型
        6. 9.2.2.6 选择 MOSFET Q1
        7. 9.2.2.7 选择自举电容器 CBST
        8. 9.2.2.8 设置欠压锁定和过压设定点
        9. 9.2.2.9 选择电流监测电阻 RIMON
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 典型应用：通过对输出电容进行预充电来驱动 B2B FET
      1. 9.3.1 设计要求
      2. 9.3.2 外部元件选型
        1. 9.3.2.1 预充电电阻器选型
      3. 9.3.3 应用曲线
    4. 9.4 典型应用：专为 EMI 而设计
      1. 9.4.1 常见 EMI 元件
      2. 9.4.2 利用添加的直流电阻 - RIWRN 对过流保护阈值进行编程
      3. 9.4.3 选择具有增加直流电阻的电流监测电阻 - RIMON
      4. 9.4.4 使用添加的直流电阻 - RISCP 对短路保护阈值进行编程
    5. 9.5 电源和 EMI 建议
    6. 9.6 布局
      1. 9.6.1 布局指南
      2. 9.6.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

6.5 电气特性

TJ = –40℃ 至 +125℃；TJ = 25°C 时的典型值、V(VS) = V(CS+) = V(CS–) = 48V、 V(BST – SRC) = 12V、V(SRC) = 0V、VSNS = RSNS 上的电压
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压
V(VS) 工作输入电压 3.5 80 V
V(VS_PORR) VS POR 阈值，上升 2.75 3 3.2 V
V(VS_PORF) VS POR 阈值，下降 2.65 2.9 3.1 V
I(Q) 系统总静态电流，I(GND) V(EN/UVLO) = 2V 613 700 µA
I(SHDN) SHDN 电流，I(GND) V(EN/UVLO) = 0V，V(SRC) = 0V 1.6 5.36 µA
V(EN/UVLO) = 0V，V(SRC) = 0V，–40℃ < Tj < 85℃ 1.6 2.65 µA
使能和欠压锁定 (EN/UVLO) 输入
V(UVLOR) UVLO 阈值电压，上升 1.16 1.18 1.2 V
V(UVLOF) UVLO 阈值电压，下降 1.1 1.11 1.13 V
V(ENF) 低 IQ 关断使能阈值电压，下降 0.3 0.7 0.9 V
使能迟滞 43 60 mV
I(EN/UVLO) 使能输入漏电流 V(EN/UVLO) = 12V 61 320 nA
过压保护 (OV) 输入 – 仅限 TPS48110-Q1
V(OVR) 过压阈值输入，上升 仅限 TPS48110-Q1 1.16 1.18 1.2 V
V(OVF) 过压阈值输入，下降 1.1 1.11 1.13 V
I(OV) OV 输入漏电流 0 V < V(OV) < 5 V 60 300 nA
电荷泵 (BST-SRC)
I(BST) 电荷泵电源电流 V(BST – SRC)  = 10V 80 100 126 µA
V(BST – SRC) 电荷泵导通电压 11 11.7 12.3 V
电荷泵关断电压 11.6 12.3 13 V
V(BST_UVLOR) V(BST – SRC) UVLO 电压阈值，上升 7 7.6 8.1 V
V(BST_UVLOF) V(BST – SRC) UVLO 电压阈值，下降 6 6.5 6.9 V
V(BST – SRC) V(VS) = 3.5V 时的电荷泵电压 8.6 V
栅极驱动器输出（PU、PD、G）
R(PD) 下拉电阻 0.69 1.34 Ω
I(PU) 峰值拉电流 3.75 A
I(PD) 峰值灌电流 4 A
I(G) 栅极充电（拉电流）电流，导通状态 仅限 TPS48111-Q1 72 100 140 µA
栅极放电（灌电流）电流，关断状态 92 131 190 mA
电流检测和过流保护（CS+、CS–、IMON、ISCP、IWRN）
V(OS_SET) 输入参考失调电压（VSNS 至 V(IMON) 调节） RSET = 100Ω，RIMON = 5kΩ、10kΩ（对应于 VSNS = 6mV 至 30mV）增益分别为 45 和 90。 -200 200 µV
V(GE_SET) 增益误差（VSNS 至 V(IMON) 调节） -1.27 1.27 %
V(IMON_Acc) IMON 精度 VSNS = 30mV、RSET = 100Ω、RIMON = 10kΩ  -2 2 %
VSNS = 6mV、RSET = 100Ω、RIMON = 5kΩ  -5 5 %
V(SNS_WRN) 过流保护 (OCP) 电压阈值 RSET = 100 Ω、RIWRN = 39.7kΩ 29.2 30.6 31.5 mV
RSET = 100 Ω、RIWRN = 120kΩ 8 10 12 mV
I(ISCP) SCP 输入偏置电流 13.7 15.6 17.6 µA
V(SNS_SCP) 短路保护 (SCP) 电压阈值 RISCP = 2.1kΩ 35 40 45 mV
RISCP = 750Ω 19 mV
I(CS–) CS– 输入偏置电流 160 183 200 µA
延迟计时器(TMR)
I(TMR_SRC_CB) TMR 源电流 73 82 91 µA
I(TMR_SRC_FLT) TMR 源电流  2.1 2.5 3.3 µA
I(TMR_SNK) TMR 灌电流 2.1 2.5 3 µA
V(TMR_OC) 过流关断的 TMR 电压阈值 1.112 1.2 1.3 V
V(TMR_FLT) FLT_T 置为有效时的 TMR 电压阈值 1.03 1.1 1.2 V
V(TMR_LOW) 用于 AR 计数器下降阈值的 TMR 引脚电压 0.15 0.2 0.22 V
输入控制（INP、INP_G）、故障标志（FLT_I、FLT_T）
R(FLT_I) FLT_I 下拉电阻 54 70 90 Ω
R(FLT_T) FLT_T 下拉电阻 70 Ω
I(FLT_T) FLT 输入漏电流 400 nA
V(INP_H) 1.6 2 V
V(INP_L) 0.8 1.2 V
V(INP_Hys) 400 mV
V(INP_G_H) 仅限 TPS48111–Q1 1.6 2 V
V(INP_G_L) 0.8 1.2 V
V(INP_G_Hys) 400 mV
温度感应和保护（二极管）
I(DIODE) 外部二极管电流源 高电平 160 µA
低电平 10 µA
二极管电流比 15.4 16 16.6 A/A
T(DIODE_TSD_rising) 二极管感测 TSD 上升阈值 采用 MMBT3904 BJT 进行检测 140 150 160 ℃