ZHCSMA7E January   2022  – April 2026 TPS4811-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 建议运行条件
    3. 6.3 ESD 等级
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵和栅极驱动器输出（VS、PU、PD、BST、SRC）
      2. 8.3.2 容性负载驱动
        1. 8.3.2.1 FET 栅极压摆率控制
        2. 8.3.2.2 使用预充电 FET -（仅限 TPS48111Q1）
      3. 8.3.3 过流和短路保护
        1. 8.3.3.1 具有自动重试功能的过流保护
        2. 8.3.3.2 具有锁闭的过流保护
        3. 8.3.3.3 短路保护
      4. 8.3.4 模拟电流监测器输出 (IMON)
      5. 8.3.5 过压 (OV) 和欠压保护 (UVLO)
      6. 8.3.6 远程温度感应和保护 (DIODE)
      7. 8.3.7 输出反极性保护
      8. 8.3.8 TPS4811x-Q1 用作简单的栅极驱动器
    4. 8.4 器件功能模式（关断模式）
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用：在配电单元中驱动 KL40 线路上的 HVAC PTC 加热器负载
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电流检测电阻 RSNS 的选型
        2. 9.2.2.2 选择调节电阻 RSET
        3. 9.2.2.3 设定过流保护阈值 - RIWRN 选型
        4. 9.2.2.4 对短路保护阈值进行编程 - RISCP 选型
        5. 9.2.2.5 对故障计时器周期进行编程 - CTMR 选型
        6. 9.2.2.6 选择 MOSFET Q1
        7. 9.2.2.7 选择自举电容器 CBST
        8. 9.2.2.8 设置欠压锁定和过压设定点
        9. 9.2.2.9 选择电流监测电阻 RIMON
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 典型应用：通过对输出电容进行预充电来驱动 B2B FET
      1. 9.3.1 设计要求
      2. 9.3.2 外部元件选型
        1. 9.3.2.1 预充电电阻器选型
      3. 9.3.3 应用曲线
    4. 9.4 典型应用：专为 EMI 而设计
      1. 9.4.1 常见 EMI 元件
      2. 9.4.2 利用添加的直流电阻 - RIWRN 对过流保护阈值进行编程
      3. 9.4.3 选择具有增加直流电阻的电流监测电阻 - RIMON
      4. 9.4.4 使用添加的直流电阻 - RISCP 对短路保护阈值进行编程
    5. 9.5 电源和 EMI 建议
    6. 9.6 布局
      1. 9.6.1 布局指南
      2. 9.6.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

8.3.3.1 具有自动重试功能的过流保护

CTMR 对过流保护延迟 (tOC) 和自动重试时间 (tRETRY) 进行编程。一旦 CS+ 和 CS– 上的电压超过设定点，CTMR 便会以 82μA 的上拉电流开始充电。在 CTMR 充电至 V(TMR_FLT) 后，FLT_I 就会置为低电平，从而提供 FET 即将关断的警告。在 CTMR 充电至 V(TMR_OC) 后，PD 就会拉至 SRC，从而关断 FET。发布此事件后，自动重试行为将开始。CTMR 电容开始放电，下拉电流为 2.5uA。电压达到 V(TMR_LOW) 电平后，电容开始充电，上拉电流为 2.5uA。经过 CTMR 的 32 个充放电周期后，FET 重新导通，FLT_I 在置为无效延迟 260µs 后置为无效。

使用方程式 7 计算要在 TMR 和 GND 之间连接的 CTMR 电容器容值。

方程式 7. CTMR=ITMR × tOC1.2

其中，ITMR 是 82µA 的内部上拉电流，tOC 是所需的过流响应时间。

根据方程式 8 计算 TFLT 持续时间。

方程式 8. TFLT=1.1 × CTMR82μ

其中，tFLT 是 FLT_I 置为有效延迟。

自动重试时间可通过以下公式计算：

方程式 9. tRETRY=22.7×106×CTMR

如果过流脉冲持续时间低于 tOC，则 FET 保持开通，CTMR 通过内部下拉开关放电。

TPS4811-Q1 具有自动重试功能的过流保护图 8-10 具有自动重试功能的过流保护