ZHCSMA7E January   2022  – April 2026 TPS4811-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 建议运行条件
    3. 6.3 ESD 等级
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵和栅极驱动器输出（VS、PU、PD、BST、SRC）
      2. 8.3.2 容性负载驱动
        1. 8.3.2.1 FET 栅极压摆率控制
        2. 8.3.2.2 使用预充电 FET -（仅限 TPS48111Q1）
      3. 8.3.3 过流和短路保护
        1. 8.3.3.1 具有自动重试功能的过流保护
        2. 8.3.3.2 具有锁闭的过流保护
        3. 8.3.3.3 短路保护
      4. 8.3.4 模拟电流监测器输出 (IMON)
      5. 8.3.5 过压 (OV) 和欠压保护 (UVLO)
      6. 8.3.6 远程温度感应和保护 (DIODE)
      7. 8.3.7 输出反极性保护
      8. 8.3.8 TPS4811x-Q1 用作简单的栅极驱动器
    4. 8.4 器件功能模式（关断模式）
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用：在配电单元中驱动 KL40 线路上的 HVAC PTC 加热器负载
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电流检测电阻 RSNS 的选型
        2. 9.2.2.2 选择调节电阻 RSET
        3. 9.2.2.3 设定过流保护阈值 - RIWRN 选型
        4. 9.2.2.4 对短路保护阈值进行编程 - RISCP 选型
        5. 9.2.2.5 对故障计时器周期进行编程 - CTMR 选型
        6. 9.2.2.6 选择 MOSFET Q1
        7. 9.2.2.7 选择自举电容器 CBST
        8. 9.2.2.8 设置欠压锁定和过压设定点
        9. 9.2.2.9 选择电流监测电阻 RIMON
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 典型应用：通过对输出电容进行预充电来驱动 B2B FET
      1. 9.3.1 设计要求
      2. 9.3.2 外部元件选型
        1. 9.3.2.1 预充电电阻器选型
      3. 9.3.3 应用曲线
    4. 9.4 典型应用：专为 EMI 而设计
      1. 9.4.1 常见 EMI 元件
      2. 9.4.2 利用添加的直流电阻 - RIWRN 对过流保护阈值进行编程
      3. 9.4.3 选择具有增加直流电阻的电流监测电阻 - RIMON
      4. 9.4.4 使用添加的直流电阻 - RISCP 对短路保护阈值进行编程
    5. 9.5 电源和 EMI 建议
    6. 9.6 布局
      1. 9.6.1 布局指南
      2. 9.6.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

5 引脚配置和功能

TPS4811-Q1 DGX 封装，19 引脚 VSSOP（顶视图）图 5-1 DGX 封装，19 引脚 VSSOP（顶视图）
表 5-1 引脚功能
引脚 类型(1) 说明
名称 TPS48110Q1 TPS48111Q1
DGX-19 (VSSOP)
EN/UVLO 1 1 I EN/UVLO 输入。此引脚上的电压高于 1V 即可实现正常运行。强制此引脚低于 0.3V 会关断 TPS4811x-Q1，从而将静态电流降低至约 1.6µA（典型值）。（可选）通过电阻分压器连接到输入电源以设置欠压锁定。当 EN/UVLO 保持悬空时，60nA 的内部下拉会将 EN/UVLO 拉至低电平并使器件保持关断状态。
OV 2 — I 可调节过压阈值输入。从输入电源，OV 到 GND 之间连接一个电阻梯。当 OV 上的电压超过过压切断阈值时，PD 被拉低至 SRC，从而关断外部 FET。当 OV 上的电压低于 OV 下降阈值时，PU 被上拉至 BST，从而导通外部 FET。
OV 在未使用时，必须连接至 GND。当 OV 保持悬空时，60nA 的内部下拉会将 OV 拉至低电平，PU 将被上拉至 BST。
INP_G — 2 I 输入信号。兼容 CMOS 的 GND 输入基准可设置 G 引脚的状态。INP_G 可以内部下拉至 GND，以在 INP_G 悬空时使 G 保持拉至 SRC。

如果未使用 G 驱动功能，请将 INP_G 连接到 GND。
INP 3 3 I 输入信号。对 GND 的 CMOS 兼容输入基准，可设置 PD 和 PU 引脚的状态。INP 可以内部下拉至 GND，以在 INP 保持悬空时使 PD 保持拉至 SRC。
FLT_T 4 4 O 开漏故障输出。当检测到过热故障时，该引脚置为低电平。
FLT_I 5 5 O 开漏故障输出。在 TMR 引脚上的电压达到故障阈值 1.1V 后，该引脚置为低电平有效。该引脚指示传输晶体管因过流状况而即将关断。直到过流状况和自动重试时间到期，FLT_I 引脚才不会进入高阻抗状态。
GND 6 6 G 将 GND 连接到系统地。
IMON 7 7 O 模拟电流监视器输出。该引脚通过外部电流检测电阻 RSNS 提供按比例降低的电流。该引脚与 GND 之间的电阻可将电流成比例转换为电压。如果未使用该引脚，则将其接地。
IWRN 8 8 I 过流检测设置。IWRN 与 GND 之间的电阻器可设置过流比较器阈值。
如果不需要过流保护特性，请将 IWRN 连接到 GND。
TMR 9 9 I 故障计时器输入。TMR 引脚与 GND 之间的电容器可设置故障警告、故障关断 (FLT_I) 和重试周期的时间。
将它保持开路可实现超快速设置。将 TMR 连接到 GND 将禁用过流保护。
DIODE 10 10 I 用于温度检测的二极管连接。将此引脚连接到 MMBT3904 NPN BJT 的基极和集电极。

如果不需要远程过热保护功能，请将二极管接地。
G — 11 O 外部预充电 FET 的栅极。连接到外部 FET 的栅极。

如果未使用 G 驱动器功能，请将 G 引脚保持悬空状态。
N.C 11 — — 无连接。
BST 12 12 O 高电平端自举电源。必须在此引脚和 SRC 之间连接一个最小值超过外部 FET Qg(tot) 的外部电容器。
SRC 13 13 O 外部 FET 的源极连接。
PD 14 14 O 高电流栅极驱动器下拉。此引脚下拉至 SRC。为了实现最快的关断，请将此引脚直接连接到外部高电平端 MOSFET 的栅极。
PU 15 15 O 高电流栅极驱动器上拉。此引脚上拉至 BST。将此引脚连接到 PD 可获得最大栅极驱动转换速度。在此引脚和外部 MOSFET 的栅极之间可以连接一个电阻来控制导通期间的浪涌电流。
CS- 17 17 I 电流检测负输入。
CS+ 18 18 I 电流检测正输入。在 CS+ 与外部电流检测电阻器之间连接一个 50Ω 至 100Ω 的电阻器。
ISCP 19 19 I 短路检测阈值设置。如果不需要短路保护功能，请将 ISCP 连接到 CS。
VS 20

20

 电源 控制器的电源引脚。
(1) I = 输入，O = 输出，I/O = 输入和输出，P = 电源，G = 接地