ZHCSMA7 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSMA7E January 2022 – April 2026 TPS4811-Q1

PRODUCTION DATA

为了限制具有容性负载的 FET 导通期间的浪涌电流，请使用 R₁、R₂ 和 C₁，如图 8-6 所示。R₁ 和 C₁ 元件会减慢 FET 栅极的电压斜升速率。FET 源极跟随栅极电压，从而在输出电容器上实现受控电压斜坡。

图 8-6 采用 FET 栅极压摆率控制的浪涌电流限制

使用方程式 2 可以计算 FET 开通期间的浪涌电流。

方程式 2.

I_{I N R U S H} = C_{L O A D} \times \frac{V_{B A T T}}{T_{c h a r g e}}

方程式 3.

I_{I N R U S H} = \frac{0.63 \times V_{(B S T - S R C)} \times C_{L O A D}}{R_{1} \times C_{1}}

其中

使用与 C₁ 串联的阻尼电阻 R₂（≅ 10Ω）。方程式 3 可用于计算目标浪涌电流所需的 C₁ 值。R₁ 的 100kΩ 电阻可以作为计算的良好起点。

将 TPS4811x-Q1 的 PD 引脚直接连接到外部 FET 的栅极可确保快速关断，而不会影响 R₁ 和 C₁ 元件。

C₁ 会在导通期间在 C_BST 上产生额外的充电负载。方程式 4 可用于计算所需的 C_BST 值。

方程式 4.

C_{B S T} > Q_{g (t o t a l)} + 10 \times C_{1}

其中，Q_g(total) 是 FET 的总栅极电荷。