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REF50xx 是一款噪声低、漂移低、精度电压基准极高的产品系列。这些基准同时支持灌电流和拉电流,并且具有出色的线性调整率和负载调整率。
采用专有的设计技术实现了出色的温漂 (2.5ppm/°C) 和高精度 (0.025%)。这些特性加之非常低的闪烁噪声 (0.5μVPP/V),使 REF50xx 系列非常适合用于高精度数据采集系统。REF50 系列提供增强等级 (REF50xxEI)、高等级 (REF50xxI) 和标准等级 (REF50xxAI)。在 8 引脚 SOIC 和 VSSOP 封装中提供基准电压,指定温度范围为 –40°C 至 125°C。
REF50xxEI 支持 42V 的宽电源电压额定值和 340μA 的超低 IQ。宽电源电压范围允许直接连接电池或现场电源。这还可以在电源 IC 发生故障时保护器件。
器件型号 | 封装 (1) | 本体尺寸(标称值)(2) |
---|---|---|
REF50xxI,REF50xxAI | SOIC (8) | 4.90mm × 3.91mm |
VSSOP (8) | 3.00mm × 3.00mm | |
REF50xxEI | SOIC (8) | 4.90mm × 3.91mm |
产品 | 电压 | ||||
---|---|---|---|---|---|
SOIC (8) | VSSOP (8) | ||||
不适用 | REF5020ID | REF5020AID | REF5020IDGK | REF5020AIDGK | 2.048V |
REF5025EID | REF5025ID | REF5025AID | REF5025IDGK | REF5025AIDGK | 2.5V |
REF5030EID(1) | REF5030ID | REF5030AID | REF5030IDGK | REF5030AIDGK | 3V |
REF5040EID(1) | REF5040ID | REF5040AID | REF5040IDGK | REF5040AIDGK | 4.096V |
REF5045EID(1) | REF5045ID | REF5045AID | REF5045IDGK | REF5045AIDGK | 4.5V |
REF5050EID | REF5050ID | REF5050AID | REF5050IDGK | REF5050AIDGK | 5.0V |
不适用 | REF5010ID | REF5010AID | REF5010IDGK | REF5010AIDGK | 10.0V |
引脚 | 说明 | ||
---|---|---|---|
名称 | REF50xxI、REF50xxA | REF50xxE | |
DNC | 1、8 | 8 | 不连接 |
EN | - | 1 | 器件使能控制。低电平输入会禁用基准输出,器件进入关断模式。可以通过驱动大于 1.6V 的电压或使 EN 引脚悬空来启用器件。 |
VIN | 2 | 2 | 输入电源电压 |
TEMP | 3 | 3 | 温度监测引脚。提供与温度相关的输出电压 |
GND | 4 | 4 | 接地 |
TRIM/NR | 5 | - | 输出调整或降噪引脚 |
NR | - | 5 | 降噪引脚 |
VOUT | 6 | 6 | 基准电压输出 |
NC | 7 | 无内部连接 | |
NC | 7 | 将其悬空或连接至 GND |
最小值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|
输入电压 | VIN(2) | -0.3 | 18 | V |
VIN(3) | -0.3 | 48 | ||
输出电压 | VOUT(2) | -0.3 | 5.5 | V |
工作温度 | (TA) | -55 | 125 | °C |
结温 | (TJ max) | 150 | ||
贮存温度范围 | (Tstg) | -65 | 150 |
值 | 单位 | |||
---|---|---|---|---|
V(ESD) | 静电放电(3) | 人体放电模型 (HBM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准,所有引脚(1) | ±3000 | V |
充电器件模型 (CDM),符合 JEDEC 规范 JESD22-C101,所有引脚(2) | ±1000 | |||
静电放电(4) | 人体放电模型 (HBM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准,所有引脚(1) | ±2000 | ||
充电器件模型 (CDM),符合 JEDEC 规范 JESD22-C101,所有引脚(2) | ±500 |
热指标(1) | REF50xxEI | REF50xxI,REF50xxAI | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|
D (SOIC) | D (SOIC) | DGK (VSSOP) | |||
8 引脚 | 8 引脚 | 8 引脚 | |||
RθJA | 结至环境热阻 | 120 | 115 | 160.9 | °C/W |
RθJC(top) | 结至外壳(顶部)热阻 | 52 | 63.4 | 53.9 | °C/W |
RθJB | 结至电路板热阻 | 66 | 57.1 | 82.9 | °C/W |
ΨJT | 结至顶部特征参数 | 9.8 | 15.4 | 5.1 | °C/W |
ΨJB | 结至电路板特征参数 | 64.7 | 56.2 | 80.7 | °C/W |
RθJC(bot) | 结至外壳(底部)热阻 | 不适用 | 不适用 | 不适用 | °C/W |
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|
输出电压 | |||||||
VOUT | 输出电压 | REF5020 (VOUT = 2.048V) (1),2.7V < VIN < 18V | 2.048 | V | |||
REF5025 | 2.5 | ||||||
REF5030 | 3.0 | ||||||
REF5040 | 4.096 | ||||||
REF5045 | 4.5 | ||||||
REF5050 | 5 | ||||||
REF5010 | 10 | ||||||
初始精度 | 高等级 | 所有电压选项(1) | -0.05 | 0.05 | % | ||
标准等级 | 所有电压选项(1) | -0.1 | 0.1 | % | |||
噪声 | |||||||
enpp | 低频噪声 | ƒ = 0.1Hz 至 10Hz | 3 | µVPP/V | |||
en | 输出电压噪声 | ƒ = 10Hz 至 1kHz | 0.9 | µVrms/V | |||
输出电压温漂 | |||||||
dVOUT/dT | 高等级 | TA = -40°C 至 125°C | 2.5 | 3 | pm/℃ | ||
标准等级 | 3 | 8 | |||||
线性调整率 | |||||||
ΔVO(ΔVI) | 线路调整 | VIN = (VOUT + 0.2V) 至 18V(1) | 1 | 3 | ppm/V | ||
VIN = (VOUT + 0.2V) 至 18V,TA = –40°C 至 125°C(1) | 1 | 5 | |||||
负载调整 | |||||||
ΔVO(ΔIL) |
负载调整率 | –10mA < IOUT < 10mA,VIN = VOUT + 0.75V(2) | 20 | 30 | ppm/mA | ||
10mA < IOUT < 10mA,VIN = VOUT + 0.75V(2),TA = –40°C 至 125°C | 50 | ||||||
短路电流 | |||||||
ISC | 短路电流 | VOUT = 0 | 25 | mA | |||
热迟滞 | |||||||
高等级 | VSSOP-8 | 周期 1 | 50 | ppm | |||
周期 2 | 40 | ||||||
SOIC-8 | 周期 1 | 70 | |||||
周期 2 | 50 | ||||||
标准等级 |
VSSOP-8 | 周期 1 | 70 | ||||
周期 2 | 40 | ||||||
SOIC-8 | 周期 1 | 90 | |||||
周期 2 | 50 | ||||||
长期稳定性 | |||||||
ΔVOUT_LTD | VSSOP-8 | 0 到 1000 小时 | 50 | ppm | |||
1000 到 2000 小时 | 25 | ||||||
SOIC-8 | 0 到 1000 小时 | 22 | |||||
1000 到 2000 小时 | 18 | ||||||
TEMP 引脚 | |||||||
电压输出 | 575 | mV | |||||
温度敏感性 | TA = -40°C 至 125°C | 2.64 | mV/℃ | ||||
导通趋稳时间 | |||||||
导通趋稳时间 | 至 0.1%,CL = 1μF | 200 | μs | ||||
容性负载 | |||||||
电源 | |||||||
VS | 电源电压 | 请参阅注释(1) | VOUT + 0.2 | 18 | V | ||
静态电流 | 0.8 | 1 | mA | ||||
–40°C ≤ TA ≤ 125°C | 1.2 | ||||||
温度范围 | |||||||
指定的范围 | -40 | 125 | °C | ||||
工作温度范围 | -55 | 125 | °C |
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|
输出电压 | |||||||
VOUT | 输出电压 | REF5025E | 2.5 | V | |||
REF5030E(1) | 3.0 | V | |||||
REF5040E(1) | 4.096 | V | |||||
REF5045E(1) | 4.5 | V | |||||
REF5050E | 5 | V | |||||
IA | 初始精度 | 所有电压选项 | -0.025 | 0.025 | % | ||
dVOUT/dT | TA = -40°C 至 125°C | 2.5 | ppm/℃ | ||||
噪声 | |||||||
enpp | 低频噪声 | ƒ = 0.1Hz 至 10Hz | 0.5 | µVPP/V | |||
en | 输出电压噪声 | ƒ = 10Hz 至 1kHz | 0.8 | µVrms/V | |||
输出电压温漂 | |||||||
线性调整率 | |||||||
ΔVO(ΔVI) | 线路调整 | VIN = (VOUT + 0.2V) 至 42V | 1 | 3 | ppm/V | ||
VIN = VOUT + 0.2V 至 42V,TA = –40°C 至 125°C | 1 | 5 | |||||
负载调整 | |||||||
ΔVO(ΔIL) |
负载调整率 |
–10mA < IOUT < 10mA,VIN = VOUT + 0.75V | 5 | 25 | ppm/mA | ||
10mA < IOUT < 10mA,VIN = VOUT + 0.75V,TA = –40°C 至 125°C | 35 | ||||||
短路电流 | |||||||
ISC | 短路电流 | VOUT = 0 | 21 | mA | |||
热迟滞和长期稳定性 | |||||||
TH | SOIC-8 | 周期 1 | 80 | ppm | |||
SOIC-8 | 周期 2 | 20 | ppm | ||||
长期稳定性 | |||||||
ΔVOUT_LTD | SOIC-8 | 0 到 1000 小时 | 25 | ppm | |||
1000 到 2000 小时 | 10 | ppm | |||||
TEMP 引脚 | |||||||
电压输出 | 625 | mV | |||||
温度敏感性 | TA = -40°C 至 125°C | 2.64 | mV/°C | ||||
导通趋稳时间 | |||||||
导通趋稳时间 | 至 0.1%,CL = 1μF | 400 | μs | ||||
容性负载 | |||||||
CIN | 稳定的输入电容器范围 | –40°C ≤ TA ≤ 125°C | 0.1 | µF | |||
CL | 稳定的输出电容器范围 | –40°C ≤ TA ≤ 125°C | 1 | 100 | µF | ||
电源 | |||||||
VS | 电源电压 | 请参阅注释 | VOUT + 0.2 | 42 | V | ||
静态电流 | 340 | μA | |||||
–40°C ≤ TA ≤ 125°C | 480 | μA | |||||
静态电流 | 分流电流 | VEN = 0V | 10 | μA | |||
使能电压 | VEN | 有源模式 (EN=1) | 1.6 | V | |||
关断模式 (EN=0) | 0.5 | V | |||||
温度范围 | |||||||
指定的范围 | -40 | 125 | °C |
除非另有说明,否则在 TA = 25°C 时,ILOAD = 0,且 VS = VOUT + 0.2V。对于 VOUT ≤ 2.5V,最小电源电压为 2.7V。
0°C 至 85°C |
REF5025,CL = 1μF |
CL = 1μF,IOUT = 1mA |
CL = 10μF,IOUT = 1mA |
CL = 1μF |
VSSOP-8 |
VSSOP-8 |
VSSOP-8 |
SOIC-8 |
-40°C 至 125°C |
REF5025,CL = 10μF |
CL = 1μF,IOUT = 10mA |
CL = 10μF,IOUT = 10mA |
CL = 10μF | ||
VSSOP-8 |
VSSOP-8 |
SOIC-8 |
SOIC-8 |