ZHCSJ18C October   2018  – November 2021 UCC21530

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议工作条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  额定功率
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特征
    10. 6.10 开关特征
    11. 6.11 绝缘特征曲线
    12. 6.12 典型特征
  7. 参数测量信息
    1. 7.1 传播延迟和脉宽失真度
    2. 7.2 上升和下降时间
    3. 7.3 输入和使能响应时间
    4. 7.4 可编程死区时间
    5. 7.5 上电 UVLO 到输出延迟
    6. 7.6 CMTI 测试
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 8.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 8.3.3 输入级
      4. 8.3.4 输出级
      5. 8.3.5 UCC21530 中的二极管结构
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 使能引脚
      2. 8.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 8.4.2.1 DT 引脚连接至 VCC
        2. 8.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器
  9. 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
        2. 9.2.2.2 选择死区时间电阻器和电容器
        3. 9.2.2.3 栅极驱动器输出电阻器
        4. 9.2.2.4 估算栅极驱动器功率损耗
        5. 9.2.2.5 估算结温
        6. 9.2.2.6 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
          1. 9.2.2.6.1 选择 VCCI 电容器
        7. 9.2.2.7 其他应用示例电路
      3. 9.2.3 应用曲线
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 元件放置注意事项
      2. 11.1.2 接地注意事项
      3. 11.1.3 高电压注意事项
      4. 11.1.4 散热注意事项
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 术语表
      1.      机械、封装和可订购信息

DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器

通过在 DT 引脚和 GND 之间放置一个电阻器 RDT 来对 tDT 编程。TI 建议靠近 DT 引脚放置一个 2.2 nF 或以上的陶瓷电容器来旁路此引脚,从而实现更佳的抗噪性能。可以根据以下公式确定合适的 RDT 值:

Equation1. GUID-A4B61FF0-E3A0-450A-B6D6-176517D74EDD-low.gif

其中

  • tDT 是已编程设定的死区时间,单位为纳秒。
  • RDT 是 DT 引脚和 GND 之间的电阻值,单位为千欧。

DT 引脚上的稳态电压约为 0.8V。RDT 对此引脚上的小电流进行编程,从而设置死区时间。随着 RDT 值的增加,DT 引脚提供上的电流减小。当 RDT = 100 kΩ 时,DT 引脚电流将小于 10 µA。对于更大的 RDT 值,TI 建议尽可能靠近 DT 引脚放置 RDT 和一个 2.2 nF 或以上的陶瓷电容器,从而实现更佳的抗噪性能并在两个通道之间实现更好的死区时间匹配。

一个输入信号的下降沿会启动已编程设定的另一个信号的死区时间。已编程设定的死区时间是驱动器将两个输出保持低电平的最短强制持续时间。如果 INA 和 INB 信号包含的死区持续时间长于已编程设定的最短时间,则输出保持低电平的持续时间也会长于已编程设定的死区时间。如果两个输入同时都处于高电平,则两个输出都将立即被设为低电平。此特性用于在半桥应用中防止击穿,并且它并不影响正常运行所需的已编程设定的死区时间。下图显示并说明了各种驱动器死区时间逻辑工作条件。

GUID-07DBF921-7A44-4331-ABF9-55D9A5E49A68-low.gif图 8-4 各种输入信号条件下输入与输出逻辑之间的关系

条件 A:INB 变为低电平,INA 变为高电平。INB 立即将 OUTB 设为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTA。在已编程设定的死区时间后,OUTA 能够变为高电平。

条件 B:INB 变为高电平,INA 变为低电平。INA 现在立即将 OUTA 设为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTB。在已编程设定的死区时间后,OUTB 能够变为高电平。

条件 C:INB 变为低电平,INA 仍为低电平。INB 立即将 OUTB 设为低电平并为 OUTA 分配已编程死区时间。在这种情况下,输入信号的自身死区时间长于已编程死区时间。因此,当 INA 变为高电平时,INA 立即将 OUTA 设为高电平。

条件 D:INA 变为低电平,INA 仍为低电平。INA 立即将 OUTA 设为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTB。INB 的自身死区时间长于已编程死区时间。因此,当 INB 变为高电平时,INB 立即将 OUTB 设为高电平。

条件 E:INA 变为高电平,而 INB 和 OUTB 仍为高电平。为了避免过冲,INA 立即将 OUTB 拉至低电平并使 OUTA 保持低电平状态。一段时间后,OUTB 变为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTA。OUTB 已经为低电平。在已编程设定的死区时间后,OUTA 能够变为高电平。

条件 F:INB 变为高电平,而 INA 和 OUTA 仍为高电平。为了避免过冲,INB 立即将 OUTA 拉至低电平并使 OUTB 保持低电平状态。一段时间后,OUTA 变为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTB。OUTA 已经为低电平。在已编程设定的死区时间后,OUTB 能够变为高电平。