LM4051-N 是一款经过曲率校正的精密微功耗带隙并联电压基准。在空间受限的应用中，LM4051-N 采用超小型 SOT-23 表面贴装封装。LM4051-N 设计为在“+”引脚和“−”引脚之间无需连接外部电容器的情况下稳定运行。不过，如果使用了旁路电容器，LM4051-N 仍可以保持稳定。通过选择1.2V 固定电压或可调反向击穿电压，可以进一步减少设计工作量。LM4051-1.2 和 LM4051-ADJ 的最小工作电流为 60μA。两个版本的最大工作电流均为 12mA。

采用 SOT-23 封装的 LM4051-N 通过封装的裸片连接接口，将引脚 3 连接为 (–) 输出。因此，LM4051-1.2 的引脚 3 必须保持悬空或连接到引脚 2，LM4051-ADJ 的引脚 3 是 (–) 输出。

典型热磁滞规格定义为热循环后测量的 +25℃ 电压变化。该器件热循环至 -40℃，然后在 25℃ 下进行测量。接下来，将器件热循环至 +125℃，再次在 25℃ 下进行测量。几次在 25℃ 下进行测量后获得的 V_OUT Δ 移位是热磁滞。热磁滞在精密基准中很常见，其是由热机械封装应力引起的。环境贮存温度、工作温度和电路板安装温度的变化都是导致热磁滞的因素。

在传统的并联稳压器应用中 (图 8-1)，电源电压和 LM4051-N 之间连接了一个外部串联电阻器 (R_S)。R_S 决定流经负载 (I_L) 和 LM4051-N (I_Q) 的电流。由于负载电流和电源电压可能会发生变化，因此 R_S 需要足够小，至少能为 LM4051-N 提供最小可接受 I_Q，即使电源电压处于最小值且负载电流处于最大值时也是如此。当电源电压处于最大值且 I_L 处于最小值时，R_S 需要足够大，使流经 LM4051-N 的电流小于12mA。

R_S 是根据电源电压 (V_S)、所需负载和工作电流（I_L 和 I_Q）以及 LM4051-N 的反向击穿电压 V_R 来选择的。

方程式 1.

LM4051-ADJ 的输出电压可以调节为1.24V 至10V 范围内的任何值。输出电压是内部基准电压 (V_REF) 和外部反馈电阻比的函数，如 图 8-3 所示。可使用 方程式 2 查看输出电压：

方程式 2.

其中

• V_O 为输出电压

方程式 3.

内部 V_REF 的实际值是 V_O 的函数。校正后的 V_REF 由 方程式 4 确定：

方程式 4.

其中

• V_Y = 1.22V

∆V_REF/∆V_O 可在 节 5.6 中查询，通常为 −1.55mV/V。您可以通过将 方程式 2 中的 V_REF 值替换为使用 方程式 4 查询到的值，以此获得更准确的输出电压指示。