ZHCSI18B April   2018  – May 2025 OPA858

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 输入和 ESD 保护
      2. 8.3.2 反馈引脚
      3. 8.3.3 宽增益带宽积
      4. 8.3.4 压摆率与输出级之间的关系
      5. 8.3.5 电流噪声
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 分立式电源和单电源供电
      2. 8.4.2 断电模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 使用OPA858作为跨阻放大器
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 光学前端系统中的 TIA
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 开发支持
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

8.3.5 电流噪声

CMOS 和 JFET 输入放大器在低频时的输入阻抗超过几 GΩ。但在较高的频率下，晶体管到漏极、源极和基板的寄生电容会降低阻抗。低频下的高阻抗可消除任何偏置电流和相关的散粒噪声。在较高频率下，由于 CMOS 栅极氧化物和底层晶体管通道之间的电容耦合，输入电流噪声增加（请参阅图 8-8）这种现象是晶体管结构中的自然干扰，是不可避免的。

OPA858 输入电流噪声（IBN 和 IBI）与频率间的关系图 8-8 输入电流噪声（IBN 和 IBI）与频率间的关系