ZHCSGE6B February   2017  – June 2024 CSD17318Q2

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Characteristics
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 接收文档更新通知
    2. 5.2 支持资源
    3. 5.3 Trademarks
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information

3 说明

该 30V 12.6mΩ 2mm x 2mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 可以极大地降低功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。2mm × 2mm SON 封装可提供相对于封装尺寸而言出色的热性能。

CSD17318Q2 顶视图图 3-1 顶视图
产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 6.0 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 1.3 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 2.5V 20 mΩ
VGS = 4.5V 13.9
VGS = 8V 12.6
VGS(th) 阈值电压 0.9 V
器件信息(1)
器件型号数量介质封装运输
CSD17318Q230007 英寸卷带SON
2.00mm × 2.00mm
塑料封装		卷带包装
CSD17318Q2T250
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压30V
VGS栅源电压±10V
ID持续漏极电流（受封装限制）21.5A
持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得25
持续漏极电流(1)10
IDM脉冲漏极电流，TA = 25°C(2)68A
PD功率耗散(1)2.5W
功率耗散，TC = 25°C16
TJ，
TSTG		工作结温，
贮存温度		-55 至 150°C
EAS雪崩能量，单脉冲
ID = 12.4A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		7.7mJ
(1) 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上 1 平方英寸、2oz 铜焊盘上的
RθJA = 55°C/W（典型值）。
(2) 最大 RθJC = 7°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
CSD17318Q2 导通电阻与栅极至源极电压导通电阻与栅极至源极电压
CSD17318Q2 栅极电荷栅极电荷