ZHCSF35D October   2014  – February 2025 PGA300

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电气特性：反向电压保护
    6. 5.6  电气特性：稳压器
    7. 5.7  电气特性：内部基准
    8. 5.8  电气特性：电桥传感器电源
    9. 5.9  电气特性：外部温度传感器电源
    10. 5.10 电气特性：内部温度传感器
    11. 5.11 电气特性：P 增益级（斩波稳定）
    12. 5.12 电气特性：P 模数转换器
    13. 5.13 电气特性：T 增益级（斩波稳定）
    14. 5.14 电气特性：T 模数转换器
    15. 5.15 电气特性：DAC 输出
    16. 5.16 电气特性：DAC 增益级
    17. 5.17 电气特性：诊断
    18. 5.18 电气特性：单线制接口
    19. 5.19 电气特性：EEPROM（非易失性存储器）
    20. 5.20 电气特性：电源电流
    21. 5.21 电气特性：时序
    22. 5.22 电气特性：精度
    23. 5.23 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  反向电压保护电路
      2. 6.3.2  线性稳压器
      3. 6.3.3  内部基准
        1. 6.3.3.1 高电压基准
        2. 6.3.3.2 精确基准
      4. 6.3.4  电阻式电桥的电桥传感器电源（BRG+ 到 BRG-）
      5. 6.3.5  用于外部温度传感器的 ITEMP 电源
      6. 6.3.6  内部温度传感器
      7. 6.3.7  压力测量信号链
        1. 6.3.7.1 P 增益级
        2. 6.3.7.2 P 模数转换器
          1. 6.3.7.2.1 用于 P ADC 的 P Σ-Δ 调制器
          2. 6.3.7.2.2 用于 P ADC 的 P 抽取滤波器
      8. 6.3.8  温度测量信号链
        1. 6.3.8.1 T 增益级
        2. 6.3.8.2 T 模数转换器
          1. 6.3.8.2.1 用于 T ADC 的 T Σ-Δ 调制器
          2. 6.3.8.2.2 用于 T ADC 的 T 抽取滤波器
      9. 6.3.9  DAC 输出
        1. 6.3.9.1 比例式输出模式与绝对输出模式
      10. 6.3.10 DAC 增益级
      11. 6.3.11 数字补偿和滤波器
        1. 6.3.11.1 数字增益和偏移补偿
        2. 6.3.11.2 温度和非线性补偿
          1. 6.3.11.2.1 在没有 TC 和 NL 补偿的情况下运行
          2. 6.3.11.2.2 使用内部温度传感器实现温度补偿
        3. 6.3.11.3 钳位
        4. 6.3.11.4 数字 IIR 滤波器
          1. 6.3.11.4.1 滤波器系数
            1. 6.3.11.4.1.1 无滤波
            2. 6.3.11.4.1.2 P ADC 采样率 = 128µs 的滤波器系数
      12. 6.3.12 诊断
        1. 6.3.12.1 电源诊断
        2. 6.3.12.2 信号链诊断
          1. 6.3.12.2.1 P 增益和 T 增益输入诊断
          2. 6.3.12.2.2 P 增益和 T 增益输出诊断
          3. 6.3.12.2.3 屏蔽信号链诊断
        3. 6.3.12.3 故障检测时序
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 工作模式
        1. 6.4.1.1 执行模式
        2. 6.4.1.2 配置模式
      2. 6.4.2 输出模式
        1. 6.4.2.1 电压输出模式
        2. 6.4.2.2 电流输出模式
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 单线制接口 (OWI)
        1. 6.5.1.1 OWI 概述
        2. 6.5.1.2 激活和停用 OWI
          1. 6.5.1.2.1 激活 OWI 通信
          2. 6.5.1.2.2 停用 OWI 通信
        3. 6.5.1.3 OWI 协议
          1. 6.5.1.3.1 OWI 帧结构
            1. 6.5.1.3.1.1 标准字段结构
            2. 6.5.1.3.1.2 帧结构
            3. 6.5.1.3.1.3 同步字段
            4. 6.5.1.3.1.4 命令字段
            5. 6.5.1.3.1.5 数据字段
          2. 6.5.1.3.2 OWI 命令
            1. 6.5.1.3.2.1 OWI 写入命令
            2. 6.5.1.3.2.2 OWI 读取初始化命令
            3. 6.5.1.3.2.3 OWI 读取响应命令
            4. 6.5.1.3.2.4 OWI EEPROM 高速缓存突发写入命令
            5. 6.5.1.3.2.5 OWI EEPROM 高速缓存突发读取命令
          3. 6.5.1.3.3 OWI 运营
            1. 6.5.1.3.3.1 写入操作
            2. 6.5.1.3.3.2 读取操作
            3. 6.5.1.3.3.3 EEPROM 高速缓存突发写入
            4. 6.5.1.3.3.4 EEPROM 高速缓存突发读取
      2. 6.5.2 存储器
        1. 6.5.2.1 EEPROM 存储器
          1. 6.5.2.1.1 EEPROM 高速缓存
          2. 6.5.2.1.2 EEPROM 编程过程
          3. 6.5.2.1.3 EEPROM 编程电流
          4. 6.5.2.1.4 EEPROM 存储器映射 CRC
      3. 6.5.3 控制和状态寄存器
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 寄存器设置
    2. 7.2 控制和状态寄存器
    3. 7.3 EEPROM 寄存器
    4. 7.4 寄存器说明
      1. 7.4.1  MODE_CTRL 寄存器（CS 寄存器页面：0x0）（CS 偏移量：0x0C）（EEPROM 页面：不适用）（EEPROM 偏移量：不适用）
      2. 7.4.2  PADC_DATA_LSB 和 PADC_DATA_MSB 寄存器（CS 寄存器页面：0x2）（CS 偏移量：0x20、0x21）（EEPROM 页面：不适用）（EEPROM 偏移量：不适用）
      3. 7.4.3  TADC_DATA_LSB 和 TADC_DATA_MSB 寄存器（CS 寄存器页面：0x2）（CS 偏移量：0x24、0x25）（EEPROM 页面：不适用）（EEPROM 偏移量：不适用）
      4. 7.4.4  DAC_REG_LSB 和 DAC_REG_MSB 寄存器（CS 寄存器页面：0x2）（CS 偏移量：0x30、0x31）（EEPROM 页面：不适用）（EEPROM 偏移量：不适用）
      5. 7.4.5  TC 和 NL 补偿系数（hx、gx、nx 和 mx）寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：请参阅 ）（EEPROM 偏移量：请参阅 ）
      6. 7.4.6  数字滤波器系数（ax 和 bx）寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：请参阅 ）（EEPROM 偏移量：请参阅 ）
      7. 7.4.7  NORMAL_LOW_LSB 和 NORMAL_LOW_MSB 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x5）（EEPROM 偏移量：0x02、0x03）
      8. 7.4.8  NORMAL_HIGH_LSB 和 NORMAL_HIGH_MSB 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x5）（EEPROM 偏移量：0x04、0x05）
      9. 7.4.9  LOW_CLAMP_LSB 和 LOW_CLAMP_MSB 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x5）（EEPROM 偏移量：0x06、0x07）
      10. 7.4.10 HIGH_CLAMP_LSB 和 HIGH_CLAMP_MSB 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x6）（EEPROM 偏移量：0x00、0x01）
      11. 7.4.11 PADC_GAIN_LSB 和 PADC_GAIN_MSB 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x6）（EEPROM 偏移量：0x02、0x03）
      12. 7.4.12 PADC_OFFSET_LSB 和 PADC_OFFSET_MSB 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x6）（EEPROM 偏移量：0x04、0x05）
      13. 7.4.13 DAC_FAULT_LSB 和 DAC_FAULT_MSB 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x9）（EEPROM 偏移量：0x02、0x03）
      14. 7.4.14 TADC_GAIN_LSB 和 TADC_GAIN_MSB 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x9）（EEPROM 偏移量：0x04、0x05）
      15. 7.4.15 TADC_OFFSET_LSB 和 TADC_OFFSET_MSB 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x9）（EEPROM 偏移量：0x06、0x07）
      16. 7.4.16 SERIAL_NUMBER_BYTE0/1/2/3 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0xA）（EEPROM 偏移量：0x00、0x01、0x02、0x03）
      17. 7.4.17 DAC_CONFIG 寄存器（CS 寄存器页面：0x2）（CS 偏移量：0x39）（EEPROM 页面：0x4）（EEPROM 偏移量：0x00）
      18. 7.4.18 OP_STAGE_CTRL 寄存器（CS 寄存器页面：0x2）（CS 偏移量：0x3B）（EEPROM 页面：0x4）（EEPROM 偏移量：0x01）
      19. 7.4.19 TEST_CTRL 寄存器（CS 寄存器页面：0x02）（CS 偏移量：0x67）（EEPROM 页面：不适用）（EEPROM 偏移量：不适用）
      20. 7.4.20 BRDG_CTRL 寄存器（CS 寄存器页面：0x2）（CS 偏移量：0x46）（EEPROM 页面：0x4）（EEPROM 偏移量：0x02）
      21. 7.4.21 P_GAIN_SELECT 寄存器（CS 寄存器页面：0x2）（CS 偏移量：0x47）（EEPROM 页面：0x4）（EEPROM 偏移量：0x03）
      22. 7.4.22 T_GAIN_SELECT 寄存器（CS 寄存器页面：0x2）（CS 偏移量：0x48）（EEPROM 页面：0x4）（EEPROM 偏移量：0x04）
      23. 7.4.23 TEMP_CTRL 寄存器（CS 寄存器页面：0x2）（CS 偏移量：0x4C）（EEPROM 页面：0x4）（EEPROM 偏移量：0x05）
      24. 7.4.24 TEMP_SE 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x5）（EEPROM 偏移量：0x00）
      25. 7.4.25 DIAG_ENABLE 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x8）（EEPROM 偏移量：0x04）
      26. 7.4.26 AFEDIAG_MASK 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x8）（EEPROM 偏移量：0x07）
      27. 7.4.27 AFEDIAG_CFG 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x8）（EEPROM 偏移量：0x06）
      28. 7.4.28 AFEDIAG（CS 寄存器页面：0x2）（CS 偏移量：0x5A）（EEPROM 页面：不适用）（EEPROM 偏移量：不适用）
      29. 7.4.29 EEPROM_LOCK 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0x8）（EEPROM 偏移量：0x05）
      30. 7.4.30 EEPROM_PAGE_ADDRESS 寄存器（CS 寄存器页面：0x5）（CS 偏移量：0x88）（EEPROM 页面：不适用）（EEPROM 偏移量：不适用）
      31. 7.4.31 EEPROM_CTRL 寄存器（CS 寄存器页面：0x5）（CS 偏移量：0x89）（EEPROM 页面：不适用）（EEPROM 偏移量：不适用）
      32. 7.4.32 EEPROM_STATUS 寄存器（CS 寄存器页面：0x5）（CS 偏移量：0x8B）（EEPROM 页面：不适用）（EEPROM 偏移量：不适用）
      33. 7.4.33 EEPROM_CRC 寄存器（CS 寄存器页面：0x5）（CS 偏移量：0x8A）（EEPROM 页面：不适用）（EEPROM 偏移量：不适用）
      34. 7.4.34 EEPROM_CRC_STATUS 寄存器（CS 寄存器页面：0x5）（CS 偏移量：0x8C）（EEPROM 页面：不适用）（EEPROM 偏移量：不适用）
      35. 7.4.35 EEPROM_CRC_VALUE_CALC 寄存器（CS 寄存器页面：0x5）（CS 偏移量：0x8D）（EEPROM 页面：不适用）（EEPROM 偏移量：不适用）
      36. 7.4.36 EEPROM_CRC_VALUE_USER 寄存器（CS 寄存器页面：不适用）（CS 偏移量：不适用）（EEPROM 页面：0xF）（EEPROM 偏移量：0x07）
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 线束开路诊断
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 4mA 至 20mA 电流输出
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 外部组件
          2. 8.2.1.2.2 编程和 EEPROM 设置
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 0V 至 10V 绝对电压输出
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
          1. 8.2.2.2.1 外部组件
          2. 8.2.2.2.2 编程和 EEPROM 设置
      3. 8.2.3 0V 至 5V 比例电压输出
        1. 8.2.3.1 设计要求
        2. 8.2.3.2 详细设计过程
          1. 8.2.3.2.1 外部组件
          2. 8.2.3.2.2 编程和 EEPROM 设置
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 商标
    3. 9.3 静电放电警告
    4. 9.4 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
6.5.2.1.2 EEPROM 编程过程

EEPROM 分为 16 页，每页八个字节。通过写入八字节 EEPROM 高速缓存对 EEPROM 存储单元进行编程。高速缓存的内容通过以下方式传输到由 EEPROM 存储页面确定的 EEPROM 存储单元：

  1. 将四位 EEPROM 页面写入 EEPROM_PAGE_ADDRESS 寄存器中的 ADDR[3:0] 位，以选择要写入的 EEPROM 页面。
  2. 使用以下两种方法之一，通过写入 EEPROM_CACHE 寄存器空间来加载 8 字节 EEPROM 高速缓存：
    • OWI EEPROM 高速缓存突发写入命令可以在单个 OWI 帧中写入完整的 EEPROM 高速缓存。
    • 对控制和状态寄存器第五页中的地址 0x80 至 0x87 进行八次单独的 OWI 写入操作。所有八个字节都必须加载到 EEPROM_CACHE 寄存器中。
  3. 作为可选的完整性检查，回读 EEPROM 高速缓存，以通过使用以下两种方法之一读取 EEPROM_CACHE 寄存器空间来验证 EEPROM 高速缓存是否正确写入：
    • OWI EEPROM 高速缓存突发读取命令可以在单个 OWI 帧中读取完整的 EEPROM 高速缓存。
    • 对控制和状态寄存器第五页中的地址 0x80 至 0x87 进行八次单独的 OWI 读取操作。
  4. 设置 EEPROM_CTRL 寄存器中的 ERASE_AND_PROGRAM 位。设置该位会自动擦除选定的 EEPROM 存储器页面，并使用 EEPROM_CACHE 寄存器内容对该页进行编程。或者，可以通过向 EEPROM_CTRL 寄存器中的 ERASE 位写入 1 来擦除 EEPROM 存储器页面的内容，然后在擦除操作完成时向 EEPROM_CTRL 寄存器中的 PROGAM 位写入 1。可以通过 EEPROM_STATUS 寄存器来监控擦除和编程操作的状态。