ZHCSEJ1C December 2015 – September 2024 TPS7H3301-SP
PRODUCTION DATA
当针对 DDR 终端应用进行配置时,VTTREF 会缓冲存储器应用的 DDR VTT 基准电压。VTTREF 块包含一个片上 1/2 电阻分压器和一个低通滤波器 (LPF)。VTTREF 在 15mV 内跟踪 1/2 VDDQSNS。它能够支持 10mA 的拉电流和灌电流负载。当 VDDQSNS 电压上升至 0.78V 且 UVLO/VIN 高于 UVLO 阈值时,VTTREF 变为有效状态。当 VTTREF 小于 0.76V 时,VTTREF 被禁用,随后通过内部 MOSFET 放电至 GND。VTTREF 放电后,VTT/VO 也会放电。VTTREF 不受 EN 引脚状态的影响。为了符合稳定性标准,必须在 VTTREF(引脚 1)附近安装一个最小 0.1µF 的陶瓷电容器。VTTREF(引脚 1)处的电容器容值不得超过 2.2µF。