ZHCSEJ1C December   2015  – September 2024 TPS7H3301-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 VTT/VO 灌电流和拉电流稳压器
      2. 7.3.2 基准输入 (VDDQSNS)
      3. 7.3.3 基准输出 (VTTREF)
      4. 7.3.4 EN Control (EN)
      5. 7.3.5 电源正常功能 (PGOOD)
      6. 7.3.6 VTT 电流保护
      7. 7.3.7 VIN UVLO 保护
      8. 7.3.8 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VDD/VIN 电容器
        2. 8.2.2.2 VLDO 输入电容器
        3. 8.2.2.3 VTT 输出电容器
        4. 8.2.2.4 VTTSNS 连接
        5. 8.2.2.5 低 VIN 应用
        6. 8.2.2.6 S3 和伪 S5 支持
        7. 8.2.2.7 跟踪启动和关断
        8. 8.2.2.8 VTT DIMM 或模块应用的输出容差注意事项
        9. 8.2.2.9 LDO 设计指南
      3. 8.2.3 应用曲线
  10.   电源相关建议
  11. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
    3. 9.3 散热注意事项
  12. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  13.   机械、封装和可订购信息

1 特性

  • 5962R14228(1)：
    • 耐辐射加固保障 (RHA) 符合高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID) 标准
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子栅穿 (SEGR)、单粒子烧毁 (SEB) 对于 LET 的抗扰度 = 70MeV-cm2/mg(2)
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子功能中断 (SEFI) 和单粒子翻转 (SEU) 特征值为 70MeV-cm2/mg(2)
  • 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接应用
  • 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨(3)
  • 低至 0.9V 的独立低压输入
    (VLDOIN)，可提高电源效率(3)
  • 3A 灌电流和拉电流终端稳压器包含压降补偿功能
  • 可实现电源时序的使能输入和电源正常输出
  • VTT 终端稳压器
    • 输出电压范围：0.5 至 1.75V
    • 3A 灌电流和拉电流
  • 具有检测输入的精密集成分压器网络
  • 遥感 (VTTSNS)
  • VTTREF 缓冲基准

    • 相对于 VDDQSNS (±3mA) 的精度为 49% 至 51%

    • ±10mA 灌电流和拉电流
  • 集成了欠压锁定 (UVLO) 和过流限制 (OCL) 功能