ZHCSEJ1C December   2015  – September 2024 TPS7H3301-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 VTT/VO 灌电流和拉电流稳压器
      2. 7.3.2 基准输入 (VDDQSNS)
      3. 7.3.3 基准输出 (VTTREF)
      4. 7.3.4 EN Control (EN)
      5. 7.3.5 电源正常功能 (PGOOD)
      6. 7.3.6 VTT 电流保护
      7. 7.3.7 VIN UVLO 保护
      8. 7.3.8 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VDD/VIN 电容器
        2. 8.2.2.2 VLDO 输入电容器
        3. 8.2.2.3 VTT 输出电容器
        4. 8.2.2.4 VTTSNS 连接
        5. 8.2.2.5 低 VIN 应用
        6. 8.2.2.6 S3 和伪 S5 支持
        7. 8.2.2.7 跟踪启动和关断
        8. 8.2.2.8 VTT DIMM 或模块应用的输出容差注意事项
        9. 8.2.2.9 LDO 设计指南
      3. 8.2.3 应用曲线
  10.   电源相关建议
  11. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
    3. 9.3 散热注意事项
  12. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  13.   机械、封装和可订购信息

8.2.2.6 S3 和伪 S5 支持

TPS7H3301-SP 通过 EN 功能提供 S3 支持。EN 引脚可以连接到终端应用中的 SLP_S3 信号。当 EN = 高电平（S0 状态）时，VTTREF 和 VTT/VO 均开启。VTTREF 在 VTT/VO 关闭时保持不变，在 EN = 低电平（S3 状态）时通过内部放电 MOSFET 进行放电。请注意，EN 信号仅控制 VTT/VO 的输出缓冲器，因此，在 S3 状态下，存在 VDDQSNS 是为了将数据保持在易失性存储器中。因此，当 EN 被设置为高电平以退出 S3 状态时，需要尽快使 VO/VTT 进入稳压状态。这会导致输出电流受到器件和输出电容器的电流限值的控制。

当 EN = 低电平且 VDDQSNS 电压低于 0.78V 时，TPS7H3301-SP 进入伪 S5 状态。当启用伪 S5 支持（S4/S5 状态）时，VTT/V O 和 VTTREF 输出均关闭并通过内部 MOSFET 放电至 GND。图 8-3 显示了一个使用 S3 和伪 S5 支持的应用的典型启动和关闭时序图。

TPS7H3301-SP S3 和伪 S5 支持的典型时序图图 8-3 S3 和伪 S5 支持的典型时序图