10 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (September 2015)to RevisionB (April 2016)

• 将 节 1 从低功耗、每通道电流典型值为 2.5mA（1Mbps 时）更改为低功耗、每通道电流典型值为 1.7mA（1Mbps 时）Go
• 将 节 1 部分中的隔离栅寿命从大于 25 年更改为大于 40 年Go
• 将 节 1 从安全和监管批准更改为安全相关认证Go
• 通篇更新了认证的状态Go
• 添加了超宽体封装（16 引脚 SOIC [DWW]）选项Go
• 更改了 热性能信息 表中 DW 封装的值Go
• 将 C_IO 规格从 2pF 更改为≅1 pFGo
• 向绝缘特性 表中添加了气候类别参数Go
• 将 节 5.7 移动到了 节 5 部分Go
• 将 节 5.8 移动到了 节 5 部分Go
• 在 安全限制值 表中，更改了 DW 封装的测试条件和值Go
• 在电气特性表中，将输入阈值电压磁滞参数的最小值从 V_CCO 更改为 V_CCI Go
• 向电气特性表中的 CMTI 参数添加了 V_CM 测试条件。还将最小值从 70 更新为 100 并删除了最大值 100Go
• 将 节 5.15 中的 t_fs 更改为 t_DO Go
• 将 节 5.16 中的 t_fs 更改为 t_DO Go
• 将 节 5.17 中的 t_fs 更改为 t_DO Go
• 在 绝缘特性曲线 部分中添加了 DW 和 DWW 封装的寿命预测图Go
• 更改了 安全限制值 部分中的热降额曲线Go
• 将 2.7V 更改为1.7V、fs 高电平更改为默认高电平，将 图 6-3 中的 fs 低电平更改为默认低电平Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (July 2015)to RevisionA (September 2015)

• 将单页产品预览更改为生产数据表Go