• 集成单通道负载开关
• 输入电压范围：1.05 V 至 5.5 V
• 低导通电阻 (R_ON)
  • R_ON = 37mΩ（V_IN = 5V 时的典型值）
  • R_ON = 38mΩ（V_IN = 3.3V 时的典型值）
  • R_ON = 43mΩ（V_IN = 1.8V 时的典型值）
• 2A 最大持续开关电流
• 低静态电流
  • 7.7µA（V_IN = 3.3 V 时的典型值）
• 低控制输入阈值允许使用 1 V 或更高电压的通用输入输出 (GPIO) 接口
• 受控转换率
  • V_IN = 3.3V 时，t_R(TPS22914B/15B) = 64µs
  • V_IN = 3.3V 时，t_R(TPS22914C/15C) = 913µs
• 快速输出放电（只适用于 TPS22915）
• 超小型晶圆级芯片尺寸封装
  • 0.78mm × 0.78mm，0.4mm 间距，
    0.5mm 高度 (YFP)
• 根据 JESD 22 测试得出的静电放电 (ESD) 性能
  • 2kV 人体放电模式 (HBM) 和 1kV 器件充电模型 (CDM)

• 智能手机、手机
• 超薄、超极本™/笔记本电脑
• 平板电脑、平板手机
• 可佩戴技术
• 固态硬盘
• 数码照相机

TPS22914/15 是一款小型、低 R_ON、具有受控压摆率的单通道负载开关。此器件包括一个 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，可在 1.05 V 至 5.5 V 的输入电压范围内运行并可支持 2A 的最大持续电流。此开关由一个开关输入控制，能够直接连接低电压控制信号。

小尺寸和低 R_ON 使得此器件非常适合于空间受限、电池供电类应用。此开关的宽输入电压范围使得它成为针对很多不同电压轨的多用途解决方案。器件的受控上升时间大大减少了由大容量负载电容导致的涌入电流，从而减少或消除了电源消耗。通过集成一个在开关关闭时实现快速输出放电 (QOD) 的 143Ω 下拉电阻器，TPS22915 进一步减少了总体解决方案尺寸。

TPS22914/15 采用节省空间的小型 0.78mm × 0.78mm、0.4mm 间距、0.5mm 高度的 4 引脚晶圆芯片级 (WCSP) 封装 (YFP)。该器件在自然通风环境下的额定运行温度范围为 –40°C 至 +105°C。