3 假 OC 问题分析以及解决方案

除了常规的OCP问题外，还有一类常见的OCP类型便是Fake OC，也就是假OC，故名思意便是实际电感电流没有触发到过流阈值，但是由于该电流检测机制在某些特殊场景下导致检测结果异常偏大，从而触发内部OC保护。

Fake OC 触发的核心条件是低频高幅度信号输入且输出阻抗比较大的情况下，最极端的场景便是在输出开路时输入高幅值低频率信号，这时真实负载电流为0，但是却会误触发系统过流保护. 该误触发的根本原因在于BST自举电容充电不足，导致高侧管M1的栅极驱动电压 (BST - OUT) 异常下降，使M1无法完全导通，Rdson 大幅升高。由于OC检测电路基于 Vsense = Iout x Rdosn 进行电流采样， Rdson 的异常升高使得采样电压虚高，最终超过OC阈值触发误保护。

如 图 2-1 从D类功放内部架构和MOS开关波形展示了 OC的基本原理，BST电容需在PWM低电平期间（低侧管M2导通时）通过自举二极管充电。在大音频幅度条件下，PWM占空比接近100%，低电平时间极短，BST电容充电时间严重不足；在低音频频率条件下，高占空比状态持续时间更长，BST电容在长时间内得不到有效补充而持续放电，电压持续下跌；在高负载阻抗条件下，开关节点的RC时间常数增大，PWM上升沿和下降沿变缓，进一步压缩了BST电容的有效充电窗口。三个因素相互叠加，共同造成BST电压的严重跌落。

对于这类OC问题的解决方案，最直接的便是增大BST电容容值，提升储能能力，从而延缓电压跌落。当然，基于这个原因，在芯片内部强制插入最小低电平时间以及对 BST 电压进行实时监测或者引入OC 检测引入温度/电压补偿，根据 BST 实际电压动态调整 OC 阈值，都可以对这类假OC问题进行解决。