1 D类功放过流保护原理介绍

首先简单介绍下D类功放过流保护机理，在D类功放的半桥输出级中，MOSFET（M1）导通时其漏源极 (Vds) 之间等效为一个小电阻 Rdson，流过的电感电流会在其两端产生压降。内部比较器持续监测该压降，一旦超过预设阈值，即判定发生过流并立即关断M1/M2的PWM驱动，从而保护器件。这个保护机制与常规的开关电源相似，整个方案无需外接采样电阻，直接复用MOS管自身作为传感元件，兼具低损耗与结构简洁的优点。同时，一般高侧管M1的采样借助BST自举电容提供悬浮参考电位得以实现，为避免PWM切换瞬间的电流尖峰造成误触发，电路还设有短暂的消隐时间窗口。