2 分立式 VINDPM 自动复位电路

当 VSYS 降至 V_{SYS_SHORT} 以下时，充电器的 REGN 引脚电压 VREGN 会下降。两个 1MΩ 电阻器、下拉电阻器 R_PD、P 沟道 MOSFET (PFET)、N 沟道 MOSFET (NFET) 和 0.33 至 1μF 电容器经配置构成了自动复位电路，如 图 2-1 所示。VREGN 压降会通过从电池板上暂时断开 VACx 来触发 V_INDPM 阈值复位，这会使充电器的 VACx 引脚电压下降。

图 2-2 显示了 BQ25798 在未连接电池以及从 SYS 到 GND 的 4Ω 电阻的情况下，与上述电路一同工作的情况。每次仿真电池板输出电压降至 V_INDPM 阈值以下但仍高于 UVLO 后，充电器的转换器都会停止切换，从而导致 VSYS 和 VREGN（浅蓝色的 CH2）下降。正常导通的 NFET 由于与 REGN 耦合的电容作用，会瞬间关断然后再导通。这会使上拉至太阳能电池板电压的 P 沟道 PFET 先关断再导通，导致 VAC1 引脚电压先降至 UVLO 阈值以下，然后升至新的 VOC 电压。VAC1 引脚电压的快速切换在充电器因 VSYS 下降至接地电平而进入 HiZ 模式之前重置 V_INDPM 阈值。

表 2-1 显示了 FET、耦合电容器和下拉电阻器的规格。充电器的 V_INDPM(MIN) = 3.6V 设置运行所需的最小电池板 MPP 电压。