ZHCAF39 March 2025 MCF8315A , MCF8315C , MCF8315C-Q1 , MCF8315D , MCF8316A , MCF8316C-Q1 , MCF8316D , MCF8329A , MCT8315A , MCT8316A , MCT8316A-Q1 , MCT8329A
2.2 EEPROM 写入
在 MCx 器件中，EEPROM 写入程序（也在 图 2-1 中显示）如下：
- 停止驱动电机，以将器件置于空闲/待机状态。在 MCF 器件中，可以通过将 0x8000000 写入位于 0xEC 的 ALGO_DEBUG1 寄存器来停止电机。在 MCT 器件中，可以通过将 0x00008000 写入位于 0xE8 的 DEVICE_CTRL 寄存器来停止电机。
- 发出清除故障命令以清除故障，以防器件在电机停止运行期间遇到故障。在 MCF 器件中，可以通过将 0x30000000 写入位于 0xEA 的 ALGO_CTRL1 寄存器来清除故障。在 MCT 器件中，可以通过将 0x30000000 写入位于 0xE6 的 ALGO_CTRL1 寄存器来清除故障。
- 将 EEPROM 寄存器所需的值写入 0x80-0xAE 之间的相应影子/RAM 位置
- 通过将 0x8A500000 写入 ALGO_CTRL1 寄存器（位于 MCF 中的 0xEA 和 MCT 器件中的 0xE6），以将影子/RAM 寄存器的内容（位于 0x000080-0x0000AE 之间）写入相应的 EEPROM 寄存器，从而发出 EEPROM 写入命令。
- 在发出 EEPROM 写入命令之后等待 750ms。
- 750ms 后，读取 ALGO_CTRL1 寄存器值；读回值 0x00000000 表示 EEPROM 写入成功。
图 2-2 EEPROM 写入程序注： EEPROM 写入的注意事项
- 仅当器件处于空闲状态（不驱动电机/不为电机供电）时，才需要发出 EEPROM 写入命令
- 器件电源 (VM) 需要为 ≥6V，所有电源轨（AVDD、FB_BK 和 DVDD）需要在整个 EEPROM 写入过程中保持在数据表规定的工作限值范围内。EEPROM 写入过程中，任何电源轨上的欠压故障都会使 EEPROM 写入不完整，从而导致后续上电/唤醒时出现意外的器件行为。
- 由于 EEPROM 写入次数存在老化/写入周期限制，TI 不建议在每次上电/唤醒时都对 EEPROM 进行写入。有关允许的最大 EEPROM 写入周期数，请参阅器件数据表。重复的寄存器设置更改可在影子/RAM 位置上完成（不写入 EEPROM）；只有默认配置需要写入 EEPROM（仅在首次上电时）。
- 成功完成 EEPROM 写入后，需要进行电源复位才能使所有 EEPROM 设置更改生效。