ZHCADT3 February 2024 MSPM0C1103 , MSPM0C1103-Q1 , MSPM0C1104 , MSPM0C1104-Q1 , MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G1519 , MSPM0G3105 , MSPM0G3105-Q1 , MSPM0G3106 , MSPM0G3106-Q1 , MSPM0G3107 , MSPM0G3107-Q1 , MSPM0G3505 , MSPM0G3505-Q1 , MSPM0G3506 , MSPM0G3506-Q1 , MSPM0G3507 , MSPM0G3507-Q1 , MSPM0G3519 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1117 , MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L1303 , MSPM0L1304 , MSPM0L1304-Q1 , MSPM0L1305 , MSPM0L1305-Q1 , MSPM0L1306 , MSPM0L1306-Q1 , MSPM0L1343 , MSPM0L1344 , MSPM0L1345 , MSPM0L1346 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见,TI 提供了译文;由于翻译过程中可能使用了自动化工具,TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性,请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本(控制文档)。
MSPM0 通常由带有去耦电容器的 3.3V 直流电源供电。一个常见的情况是,当直流电源不稳定时,很容易导致 MCU 停止工作。为了克服这个问题,可以选择一个外部电容器来维持电源。因此,选择合适的电容器来应对电源故障,这非常重要。本应用手册测试了不同工作电流和电容器值情况下的工作时间,并得到了这三者之间的简单模型关系,从而有助于在已知的正常工作电流下,选择合适的电源电容器。
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在某些情况下,可以使用电容器为 MCU 供电。但电容器能够持续多久,以及持续时间与哪些因素有关?方程式 2 给出了保持时间和电源电容之间的关系。
其中,
t 是器件运行维护时间,
C 表示用户选择的电容值,
Vwork 是 MCU 的正常工作电压,即电容器电源的起始电压,
Vcutoff 是 MCU 停止工作时的切断电压。当电源低于欠压复位电压电平 0 (BOR0-) 时,因为只有上电复位 (POR)、带隙 (BG) 和 BOR 处于活动状态,器件会缓慢放电,这意味着 MCU 无法正常工作。根据器件特定数据表,VBOR0- 的最大值为 1.61V,I 是 MCU 的恒定工作电流,具体取决于 MCU 的工作模式和外设的工作情况。除了直接测量,此处我们还提供了两种方法。一种方法是查阅器件特定的数据表,其中包括不同工作条件下不同外设的工作电流。另一种方法是直接使用 TI 提供的 EnergyTrace™ 来计算器件的工作电流。
根据方程式 2,通过已知的工作电流可以得出 t 和 C 之间的对应关系。这为选择合适的电容器提供了参考。
首先,该公式的前提是 MCU 的工作电流在不同的工作电压下保持一致。因此测试了不同电压下的工作电流。起始电压为 3.3V,电源电压逐渐降低,在此期间,通过在电源和 MCU 之间串联的电流表测量工作电流的变化。结果如下。图 3-1 展示了在 MCU 正常工作(VCC 大于 1.6V)时电流保持不变。此外,该器件在 run0、sleep0 和 stop0 模式下运行时,电流分别为 1.55mA、0.93mA 和 0.32mA,这些电流符合器件特定的数据表规格。
通过保持恒定的电流,MCU 维持所需能量:
而从电容的角度来看,减少的能量可表示为:
电容器的能量用于保证 MCU 正常运行,因此方程式 2 和方程式 3 可以联系在一起,从而进一步获得设备的运行维护时间 t,该时间表示为方程式 2。
为了验证方程式 2 的可行性,必须先使用一个 3.3V 电容器电源来测试 MCU 的正常运行时间。因此,采用以下方法。如图 4-1 所示,通过改变 MCU1 PA25 引脚的状态,可以模拟 MCU2 的断电状态。具体而言,当 PA25 输出为高电平时,MCU2 正常供电,同时将电容器充电至 3.3V。当 PA25 处于高阻抗状态时,可以认为此时电源已断开。因此,MCU2 依靠电容器供电。
对于 MSPM0L1306 LaunchPad 连接:
根据 LaunchPad 的 PCB,C4 和 C5(显示在图 4-2 的绿框中)作为去耦电容器,用于接地和连接 VCC。通过这种方式,C4 和 C5 符合电源电容器的连接要求,如图 4-1 所示。在以下测试中,只需更改 C4 和 C5 的电容大小即可仿真不同的电容器电源情况。
对于软件设置,MCU2 在不同工作模式下运行 while(1) 代码。
每 2 秒设置一次 MCU1,以便通过计时器更改其状态。此外,同时切换另一个 GPIO 来提供电容器充电和放电启动信号。
图 4-3 是 MCU 在 run0 模式下运行时的工作电流实验结果。EnergyTrace 和直接测量都显示 run0 电流约为 1.5mA。
使用逻辑分析仪监控 MCU2 的电源,结果如图所示。通道 1 标识 GPIO 端口,当设置为低电平时,MCU1 的 GPIO 处于高阻抗状态,MCU2 仅由电容器供电。通道 2 是电容器两侧的电压,即 MCU 的电源电压。从图中可以看出,当电压从 3.3V 降至 1.61V 时,持续时间约为 2.66ms,接近 2.56ms 的理论计算值。
表 4-1 以表格形式汇总了不同电容器在各种工作模式下的工作时间。
电容器 | STOP0 I=0.32mA | RUN0 I=1.5mA | |||
---|---|---|---|---|---|
类型 | 电容 | 测量时间 | 计算时间 | 测量时间 | 计算时间 |
钽电容器 TAJA225K010RNJ |
2.2μF | 12.01ms | 11.55ms | 2.66ms | 2.56ms |
钽电容器 TAJA475K010RNJ |
4.7μF | 23.29ms | 24.68ms | 5.10ms | 5.48ms |
钽电容器 TAJA106K010RNJ |
10μF | 56.72ms | 56.00ms | 12.33ms | 11.67ms |
电解电容器 ASLI-D37 |
10μF | 53.79ms | 56.00ms | 11.35ms | 11.67ms |
电解电容器 ASLI-E13 |
40μF | 278.95ms | 263.2ms | 57.59ms | 54.33ms |
陶瓷电容器 GRM21BR61A |
2μF | 12.15ms | 11.2ms | 12.15ms | 11.20ms |
陶瓷电容器 GRM21BR61A |
4.3μF | 22.76ms | 22.58ms | 4.88ms | 5.02ms |
陶瓷电容器 GRM21BR61A |
6.3μF | 34.08ms | 33.08ms | 7.30ms | 7.35ms |
从表中可以看出,理论计算值与实际测量值基本一致。出现一些误差的原因可能是:电容误差值;电表笔存在漏电情况;电缆阻抗、能量损耗等。但该误差在合理的范围内。
选择电容器时需要注意以下几点。
电容器材料。以下是 GRM188R60J106ME47(muRata, MLCC, X5R) 的直流偏置特性示例。当直流增大时,陶瓷电容器的电容会有较大的误差。在本例中,当直流偏置电压为 3.3V 时,电容误差可达到 50%。
为了进行进一步验证,我们使用该电容器来测试 MCU 的电源。该结果如图 5-2 所示。工作电流为 1.5mA,电源电容为 41.1μF。但工作时间为 29.95ms,远低于 45.76ms 的理论计算值。
因此,在使用电容器时,必须注意电容器本身的特性。
电容器尺寸。封装尺寸会影响电介质的厚度,在施加相同电压的情况下(尤其是对于采用铁电材料作为电介质材料的陶瓷电容器),电介质的厚度越小,内部电场应力越大,从而会导致电容出现较大误差。因此,在此模型中优选具有稳定电容值的电容器。因此,在两次使用之间,请使用万用表等工具测试电容值
电容器材料。与使用其他材料的电容器相比,电解电容器具有更大的漏电流。当 MCU 处于 standby0 模式时,即工作电流接近 1.5μA 时,漏电流的影响变得很明显。因此,当工作电流很小时,需要考虑漏电流。
PCB 布局。应注意的是,电源电容器和 MCU 电源引脚之间的布线中会存在等效电阻,这将损失电容器的部分能量,因此在电容很小的情况下选择电容器时,需要考虑此因素。
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