ZHCABI4 January   2022 TDA4VM , TDA4VM-Q1

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
  4. 2TIDK 器件验证
    1. 2.1 对次级引导加载程序（SBL）签名和加密
    2. 2.2 为系统映像签名和加密
  5. 3密钥编程
    1. 3.1 安装 Keywriter
    2. 3.2 密钥生成
    3. 3.3 编译 Keywriter 应用
    4. 3.4 在 HS-FS 器件中对密钥进行编程
  6. 4密钥编程验证
  7. 5使用 Linux SDK 对 HS 器件进行编译和引导
  8. 6总结

3.4 在 HS-FS 器件中对密钥进行编程

在软件准备就绪后，必须满足以下硬件要求方可在 SoC OTP eFuse 中对密钥进行编程：

  • 当不对 OTP 寄存器进行编程时，VPP_CORE 和 VPP_MCU 电源必须禁用。
  • VPP_CORE 和 VPP_MCU 电源的电压必须在正确的器件上电序列完成后上升，并且需要设置处于以下范围（如表 3-1 中所列）内的电压值。

表 3-1 建议的 OTP eFuse 编程操作条件
参数 说明 最小值 典型值 最大值 单位
VPP_CORE 正常工作期间 eFuse ROM 域的电源电压范围 不适用
OTP 编程期间 eFuse ROM 域的电源电压范围 1.71 1.8 1.89 V
VPP_MCU 正常工作期间 eFuse ROM 域的电源电压范围 不适用
OTP 编程期间 eFuse ROM 域的电源电压范围 1.71 1.8 1.89 V
Tj 温度 0 25 85 ℃

有关开始刷写工作的步骤，请参阅图 3-3。

图 3-3 eFuses 编程流程

OTP Keywriter 可作为器件引导介质中的引导加载程序运行。一旦 Keywriter 应用开始进行密钥编程，便可以在 MCU 域 UART1 中找到如下所示的日志：

$ \0OTP Keywriter Revision: 01.00.00.00 (Mar 7 2021 - 20:15:01)
$ OTP Keywriter ver: 20.8.5-w2020.23-am64x-14-g7409e
$ Beginning key programming sequence
$ Taking OTP configuration from 0x41c7e000
$ Debug response: 0x0
$ Key programming is complete

完成前面的步骤后，应使用特定密钥 将 HS-FS 器件转换为 HS-SE 器件；然而， 如果客户想要在 HS-SE 器件中运行这些二进制， 则需要使用相同的密钥对其进行签名和加密。