ZHCSQL5 July 2024 UCC27301A
PRODUCTION DATA
| 引脚 | 类型(3) | 说明 | ||
|---|---|---|---|---|
| 名称 | D | DRC | ||
| EN | 不适用 | 6 | I | 使能输入。当该引脚被拉高时,它将启用驱动器。如果保持悬空或被拉低,它将禁用驱动器。建议在 EN 和 VSS 之间放置一个滤波电容器(通常为 1nF 至 10nF),以提高敏感应用的抗噪性能。 |
| HB | 2 | 3 | P | 高侧自举电源。自举二极管位于片上,但需要外部自举电容器。将自举电容器的正极侧连接到该引脚。HB 旁路电容器的典型范围为 0.022µF 至 0.1µF。电容器值取决于高侧 MOSFET 的栅极电荷,还必须根据速度和纹波标准进行选择。 |
| HI | 5 | 7 | I | 高侧输入。(1) |
| HO | 3 | 4 | O | 高侧输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。 |
| HS | 4 | 5 | P | 高侧源极连接。连接到高侧功率 MOSFET 的源极。将自举电容器的负极侧连接到该引脚。 |
| LI | 6 | 8 | I | 低侧输入。(1) |
| LO | 8 | 10 | O | 低侧输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。 |
| VDD | 1 | 1 | P | 低侧栅极驱动器的正电源。将该引脚去耦合至 VSS (GND)。典型去耦电容器范围为 0.22µF 到 4.7µF(请参阅(2))。 |
| VSS | 7 | 9 | G | 器件的负电源端子,通常为接地。 |
| 散热焊盘(4) | 不适用 | Pad | — | 连接到热质量较大的布线和 GND 平面以提高热性能。 |