ZHCSQL5 July 2024 UCC27301A
PRODUCTION DATA
在大多数应用中,外部低侧功率 MOSFET 的体二极管将 HS 节点钳制到接地。某些时候,在外部低侧 MOSFET 的体二极管钳制此摆幅之前,电路板电容和电感会导致 HS 节点在接地电位以下瞬态摆动几伏。只要不违反规范并且遵循本节中提到的条件,该器件中的 HS 引脚就能摆动到接地电位以下。
确保 HB 至 HS 工作电压在建议运行条件内。因此,如果 HS 引脚瞬态电压为 -5V,则 VDD(以及 HB)在理想情况下限制为 12V,以将 HB 至 HS 电压保持在 17V 以下。通常,当 HS 摆动为负值时,HB 瞬间跟随 HS,因此 HB 至 HS 电压不会明显过冲。
HS 的电势必须始终低于 HO。将 HO 拉至规定条件以下,可能会激活寄生晶体管,从而导致 HB 电源的电流过大。这样可能损坏器件。LO 和 VSS 的关系也是如此。如有必要,可在 HO 和 HS 之间或 LO 和 VSS 之间外接肖特基二极管,保护器件免受此类瞬变影响。为充分发挥作用,二极管应尽量靠近器件引脚。
为确保栅极驱动器器件正常运行,从 HB 到 HS 以及从 VDD 到 VSS 的低 ESR 旁路电容器至关重要。为充分减小串联电感,电容器应位于器件引线处。LO 和 HO 的峰值电流可能非常大。旁路电容器的任何串联电感都会在器件引线上引发电压振铃,为确保可靠运行,必须避免这种情况发生。
根据应用电路板设计和其他运行参数,除 HS 引脚外,其他引脚(比如 HI 和 LI 输入引脚)也可能瞬时摆动到接地电位以下。为了适应这种运行条件,器件的输入引脚能够处理绝对最大值为 -10V 的电压。根据布局和其他设计限制,输出 HO 和 LO 有时也可能出现短时间瞬态电压。因此,该器件还可以在 HO 和 LO 输出引脚上以小于 100ns 的持续时间处理 -2V 瞬变。