ZHCSK80B september   2019  – october 2020 UCC23313

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Function
    1.     Pin Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  额定功率
    6. 6.6  Insulation Specifications
    7. 6.7  Safety-Related Certifications
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  Electrical Characteristics
    10. 6.10 开关特性
    11. 6.11 Insulation Characteristics Curves
    12. 6.12 Typical Characteristics
  8. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Propagation Delay, rise time and fall time
    2. 7.2 IOH and IOL testing
    3. 7.3 CMTI Testing
  9. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Power Supply
      2. 8.3.2 Input Stage
      3. 8.3.3 Output Stage
      4. 8.3.4 Protection Features
        1. 8.3.4.1 Undervoltage Lockout (UVLO)
        2. 8.3.4.2 Active Pulldown
        3. 8.3.4.3 Short-Circuit Clamping
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 ESD Structure
  10. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Selecting the Input Resistor
        2. 9.2.2.2 Gate Driver Output Resistor
        3. 9.2.2.3 Estimate Gate-Driver Power Loss
        4. 9.2.2.4 Estimating Junction Temperature
        5. 9.2.2.5 Selecting VCC Capacitor
  11. 10Power Supply Recommendations
  12. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
    3. 11.3 PCB Material
  13. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DWY|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

UCC23313 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有 4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kVRMS 基本隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件间偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode)，这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比，可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm，塑封材料（材料组 I）的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23313 具有高性能和高可靠性，因此非常适合用于所有类型的电机驱动器、光伏逆变器、工业电源和电器。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

器件信息(1)
器件型号封装封装尺寸（标称值）
UCC23313扩展型 SO-67.5mm x 4.68mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。