ZHCSZG0 December   2025 UCC21711-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
    12. 5.12 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟
      1. 6.1.1 定期关断
    2. 6.2 输入抗尖峰脉冲滤波器
    3. 6.3 有源米勒钳位
      1. 6.3.1 内部片上有源米勒钳位
    4. 6.4 欠压锁定 (UVLO)
      1. 6.4.1 VCC UVLO
      2. 6.4.2 VDD UVLO
    5. 6.5 OC（过流）保护
      1. 6.5.1 具有软关断功能的 OC 保护
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电源
      2. 7.3.2  驱动器级
      3. 7.3.3  VCC 和 VDD 欠压锁定 (UVLO)
      4. 7.3.4  有源下拉
      5. 7.3.5  短路钳位
      6. 7.3.6  内部有源米勒钳位
      7. 7.3.7  过流和短路保护
      8. 7.3.8  软关断
      9. 7.3.9  故障（FLT、复位和启用 (RST/EN）
      10. 7.3.10 隔离式模拟至 PWM 信号功能
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 IN+、IN– 和 RST/EN 的输入滤波器
        2. 8.2.2.2 IN+ 和 IN– 的 PWM 互锁
        3. 8.2.2.3 FLT、RDY 和 RST/EN 引脚电路
        4. 8.2.2.4 RST/EN 引脚控制
        5. 8.2.2.5 导通和关断栅极电阻器
        6. 8.2.2.6 过流和短路保护
          1. 8.2.2.6.1 基于具有集成 SenseFET 的电源模块的保护
          2. 8.2.2.6.2 基于去饱和电路的保护
          3. 8.2.2.6.3 基于电源环路中分流电阻器的保护
        7. 8.2.2.7 隔离式模拟信号感测
          1. 8.2.2.7.1 隔离式温度感测
          2. 8.2.2.7.2 隔离式直流母线电压感测
        8. 8.2.2.8 使用外部电流缓冲器实现更高的输出电流
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DW|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.2.2.8 使用外部电流缓冲器实现更高的输出电流

要增大 IGBT 栅极驱动电流，可以使用同相电流缓冲器（例如 NPN/PNP 缓冲器，如 图 8-16 中所示）。反相类型与去饱和故障保护电路不兼容，必须避免使用。MJD44H11/MJD45H11 对适用于高达 15A 的峰值电流，D44VH10/D45VH10 对适用于高达 20A 的峰值电流。

在过流检测的情况下，将激活软关断 (STO)。在使用外部缓冲器时，必须添加外部元件以实现 STO，而不是正常关断速度。CSTO 设置软关断时序，而 RSTO 会将浪涌电流限制在内部 FET 的额定电流 (10A) 以下。RSTO 应至少为 (VDD–VEE)/10。软关断时间由 400mA 的内部电流源和电容器 CSTO 决定。CSTO 的计算公式为 方程式 14。

方程式 14. UCC21711-Q1
  • ISTO 是内部 STO 电流源，400mA
  • tSTO 是所需的 STO 计时
UCC21711-Q1 用于提高驱动强度的电流缓冲器图 8-16 用于提高驱动强度的电流缓冲器