ZHCSU87 January   2024 UCC21330-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级(汽车类)
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全限值
    8. 5.8  电气特性
    9. 5.9  开关特性
    10. 5.10 绝缘特性曲线
    11. 5.11 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和脉宽失真度
    2. 6.2 上升至下降时间
    3. 6.3 输入和禁用响应时间
    4. 6.4 可编程死区时间
    5. 6.5 上电 UVLO 到输出延迟
    6. 6.6 CMTI 测试
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 7.3.3 输入级
      4. 7.3.4 输出级
      5. 7.3.5 UCC21330-Q1 中的二极管结构
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 禁用引脚
      2. 7.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 7.4.2.1 将 DT 引脚连接到 VCC
        2. 7.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
        2. 8.2.2.2 选择外部自举二极管及其串联电阻
        3. 8.2.2.3 栅极驱动器输出电阻器
        4. 8.2.2.4 栅极至源极电阻器选择
        5. 8.2.2.5 估算栅极驱动器功率损耗
        6. 8.2.2.6 估算结温
        7. 8.2.2.7 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
          1. 8.2.2.7.1 选择 VCCI 电容器
          2. 8.2.2.7.2 选择 VDDA(自举)电容器
          3. 8.2.2.7.3 选择 VDDB 电容器
        8. 8.2.2.8 死区时间设置指南
        9. 8.2.2.9 具有输出级负偏置的应用电路
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 电源建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 认证
    4. 11.4 接收文档更新通知
    5. 11.5 支持资源
    6. 11.6 商标
    7. 11.7 静电放电警告
    8. 11.8 术语表
  13. 12Revision History
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

典型特性

VDDA = VDDB= 15V,VCCI = 3.3V,TA = 25°C,无负载,除非另有说明。

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图 5-4 每通道电流消耗 (IVDDA/B) 与频率之间的关系(无负载,VDD = 15V 或 25V)
GUID-20230607-SS0I-LPWR-BM4P-Q8VLQ8MVZJJ2-low.svg
图 5-6 每通道电流消耗 (IVDDA/B) 与频率之间的关系(10nF 负载,VDD = 15V 或 25V)
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图 5-8 每通道 (IVDDA/B) 静态电源电流与温度之间的关系(无负载,低电平输入,无开关)
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图 5-10 上升和下降时间与负载间的关系 (VDD = 15V)
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图 5-12 传播延迟与温度间的关系
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图 5-14 脉宽失真度与温度之间的关系
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图 5-16 传播延迟匹配 (tDM) 与温度之间的关系
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图 5-18 VDD 8V UVLO 迟滞与温度之间的关系
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图 5-20 IN/EN 低阈值
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图 5-22 死区时间与温度之间的关系(RDT = 20kΩ 和 100kΩ)
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图 5-24 典型输出波形
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图 5-5 每通道电流消耗 (IVDDA/B) 与频率之间的关系(1nF 负载,VDD = 15V 或 25V)
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图 5-7 每通道 (IVDDA/B) 电源电流与温度之间的关系(无负载,不同的开关频率)
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图 5-9 IVCCI 静态电源电流与温度之间的关系(无负载,低电平输入,无开关)
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图 5-11 输出电阻与温度之间的关系
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图 5-13 传播延迟与 VCCI 之间的关系
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图 5-15 传播延迟匹配 (tDM) 与 VDD 之间的关系
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图 5-17 VDD 8V UVLO 阈值与温度之间的关系
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图 5-19 IN/EN 迟滞与温度之间的关系
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图 5-21 IN/EN 高阈值
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图 5-23 死区时间匹配与温度之间的关系(RDT = 20kΩ 和 100kΩ)