ZHCS043C February   2011  – May 2026 TXS4555

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2说明
  4. 3引脚配置和功能
  5. 4规格
    1. 4.1  绝对最大额定值
    2. 4.2  ESD 等级
    3. 4.3  热性能信息
    4. 4.4  建议运行条件
    5. 4.5  电气特性 – 电平转换器
    6. 4.6  LDO 电气特性
    7. 4.7  一般电气特性
    8. 4.8  开关特性
    9. 4.9  工作特性
    10. 4.10 典型特性
  6. 5详细说明
    1. 5.1 功能方框图
  7. 6应用和实施
    1. 6.1 应用信息
      1. 6.1.1 输入和输出电容器要求
      2. 6.1.2 输出噪声
      3. 6.1.3 内部电流限制
      4. 6.1.4 压降电压
      5. 6.1.5 启动
      6. 6.1.6 瞬态响应
      7. 6.1.7 最小负载电
      8. 6.1.8 热性能信息
        1. 6.1.8.1 过热保护
  8. 7器件和文档支持
    1. 7.1 接收文档更新通知
    2. 7.2 支持资源
    3. 7.3 商标
    4. 7.4 静电放电警告
    5. 7.5 术语表
  9. 8修订历史记录
  10. 9机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

2 说明

TXS4555 器件是一款智能身份模块 (SIM) 卡选件，可将无线基带处理器与 SIM 卡连接，以存储移动手持应用程序的 I/O。该器件符合 ISO/IEC 智能卡接口要求以及 GSM 和 3G 移动标准。该器件包括一个可支持 B 类 (2.95V) 和 C 类 (1.8V) 接口的高速电平转换器以及一个输出电压可在这些接口之间进行选择的低压降 (LDO) 稳压器。

该器件有两个电源电压引脚。VCC 可在 1.65V 至 3.3V 的整个电压范围内以及 2.3V 至 5.5V 的 VBATT 范围内运行。VPWR 设置为 1.8V 或 2.95V，由内部 LDO 供电。集成式 LDO 接受高达 5.5V 的输入电压，并在 50mA 时向 B 侧电路和外部 SIM 卡输出 1.8V 或 2.95V 电压。TXS4555 使系统设计人员能够将低压微处理器连接到在 1.8V 或 2.95V 电压下运行的 SIM 卡。

TXS4555 根据 SIM 卡的 ISO 7816-3 规范为 SIM 卡引脚提供了关断顺序。在手机意外关机时，关闭 SIM 卡有助于防止数据损坏。该器件为 SIM 引脚提供 8kV HBM 保护，为所有其他引脚提供标准 2kV HBM 保护。

器件信息
器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
TXS4555 VQFN (16) 3.00mm × 3.00mm
UQFN (12) 2.00mm × 1.70mm
TXS4555 与 SIM 卡连接与 SIM 卡连接