ZHCS043C February   2011  – May 2026 TXS4555

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2说明
  4. 3引脚配置和功能
  5. 4规格
    1. 4.1  绝对最大额定值
    2. 4.2  ESD 等级
    3. 4.3  热性能信息
    4. 4.4  建议运行条件
    5. 4.5  电气特性 – 电平转换器
    6. 4.6  LDO 电气特性
    7. 4.7  一般电气特性
    8. 4.8  开关特性
    9. 4.9  工作特性
    10. 4.10 典型特性
  6. 5详细说明
    1. 5.1 功能方框图
  7. 6应用和实施
    1. 6.1 应用信息
      1. 6.1.1 输入和输出电容器要求
      2. 6.1.2 输出噪声
      3. 6.1.3 内部电流限制
      4. 6.1.4 压降电压
      5. 6.1.5 启动
      6. 6.1.6 瞬态响应
      7. 6.1.7 最小负载电
      8. 6.1.8 热性能信息
        1. 6.1.8.1 过热保护
  8. 7器件和文档支持
    1. 7.1 接收文档更新通知
    2. 7.2 支持资源
    3. 7.3 商标
    4. 7.4 静电放电警告
    5. 7.5 术语表
  9. 8修订历史记录
  10. 9机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4.7 一般电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数测试条件最小值典型值最大值单位
RI/OPUI/O 上拉162024kΩ
RSIMPUSIM_I/O 上拉101418kΩ
RSIMPDSIM_I/O 下拉当 EN = 0 时，有源下拉电阻连接到 VSIM 稳压器输出，并作用于 SIM_CLK、SIM_RST、SIM_I/O3kΩ
TXS4555 SIM_RST、SIM_CLK、SIM_IO 和 VSIM 的关断序列图 4-1 SIM_RST、SIM_CLK、SIM_IO 和 VSIM 的关断序列

SIM 信号的关断序列基于 ISO 7816-3 规范。这些信号的关断序列有助于正确禁用这些通道并且不会意外损坏数据。此外，当 SIM 卡位于热插拔插槽中以及拔出 SIM 卡时，有序关闭这些信号有助于避免数据写入不当或损坏。

当 EN 降低时，关断序列通过为 SIM_RST 通道供电来实现。实现这一目标后，SIM_CLK、SIM_I/O 和 VSIM 将按顺序逐一通电。SIM 引脚上有一个内部 2K 下拉值，这有助于将通道拉至低电平。关断时间序列精确到几微秒。需要先降低 EN 才能触发关断，从而控制 SIM IO、RST 和 CLK。当 EN 和 VCC 都降低时，不会触发关断序列。