ZHCSDY6F July   2015  – June 2026 TUSB4041I

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 3.3V I/O 电气特性
    6. 5.6 上电时序要求
    7. 5.7 集线器输入电源电流
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 电池充电功能
      2. 6.3.2 USB 电源管理
      3. 6.3.3 一次性可编程配置
      4. 6.3.4 时钟生成
      5. 6.3.5 晶体要求
      6. 6.3.6 输入时钟要求
      7. 6.3.7 上电和复位
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 外部配置接口
      2. 6.4.2 I2C EEPROM 运行
      3. 6.4.3 SMBus 目标操作
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 上游端口实现
        2. 7.2.2.2 下游端口 1 实现
        3. 7.2.2.3 下游端口 2 实现
        4. 7.2.2.4 下游端口 3 实现
        5. 7.2.2.5 下游端口 4 实现
        6. 7.2.2.6 VBUS 电源开关实现
        7. 7.2.2.7 时钟、复位和其他
        8. 7.2.2.8 TUSB4041I 电源实现
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 TUSB4041I 电源
      2. 7.3.2 下游端口电源
      3. 7.3.3 接地
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 放置
        2. 7.4.1.2 封装规格
        3. 7.4.1.3 差分对
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1  配置寄存器
    2. 8.2  ROM 签名寄存器
    3. 8.3  供应商 ID LSB 寄存器
    4. 8.4  供应商 ID MSB 寄存器
    5. 8.5  产品 ID LSB 寄存器
    6. 8.6  产品 ID MSB 寄存器
    7. 8.7  器件配置寄存器
    8. 8.8  电池充电支持寄存器
    9. 8.9  器件可移除配置寄存器
    10. 8.10 端口使用的配置寄存器
    11. 8.11 器件配置寄存器 2
    12. 8.12 USB 2.0 端口极性控制寄存器
    13. 8.13 UUID 字节 N 寄存器
    14. 8.14 语言 ID LSB 寄存器
    15. 8.15 语言 ID MSB 寄存器
    16. 8.16 序列号字符串长度寄存器
    17. 8.17 制造商字符串长度寄存器
    18. 8.18 产品字符串长度寄存器
    19. 8.19 序列号字符串寄存器
    20. 8.20 制造商字符串寄存器
    21. 8.21 产品字符串字节 N 寄存器
    22. 8.22 附加特性配置寄存器
    23. 8.23 器件状态和命令寄存器
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PAP|64
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.6 上电时序要求

最小值标称值最大值单位
td1VDD33 在 VDD 稳定之前已稳定(1)请参阅 (2)ms
td2在 GRSTz 置为无效之前 VDD 和 VDD33 已稳定3ms
tsu_io在 GRSTz 置为无效时采样的 MISC 输入(3)的建立时间0.1µs
thd_io在 GRSTz 置为无效时采样的 MISC 输入(3)的保持时间0.1µs
tVDD33_RAMPVDD33 电源斜坡要求0.2100ms
tVDD_RAMPVDD 电源斜坡要求0.2100ms
(1) 如果 VDD33 电源在 VDD11 电源之前稳定，则需要主动复位。此主动复位应满足从两个电源稳定到 GRSTz 置为无效的 3ms 上电延迟。
(2) 除非 GRSTz 仅连接到一个电容器接地，否则 VDD33 和 VDD 没有上电关系。因此，VDD 必须在 VDD33 之前稳定至少 10μs。
(3) 在 GRSTz 置为无效时采样的 MISC 引脚：FULLPWRMGMTz、GANGED, PWRCTL_POL、SMBUSz、BATEN[4:1] 和 AUTOENz。
TUSB4041I 上电时序要求图 5-1 上电时序要求